English

2 düymlük Silikon Karbid Gofretlər 6H və ya 4H N tipli və ya Yarıizolyasiyalı SiC Substratlar

2 düymlük Silikon Karbid vafli 6H və ya 4H N tipli və ya Yarıizolyasiyalı SiC Substratları Xüsusi Şəkil
  • 2 düymlük Silikon Karbid Gofretlər 6H və ya 4H N tipli və ya Yarıizolyasiyalı SiC Substratlar
  • 2 düymlük Silikon Karbid Gofretlər 6H və ya 4H N tipli və ya Yarıizolyasiyalı SiC Substratlar
  • 2 düymlük Silikon Karbid Gofretlər 6H və ya 4H N tipli və ya Yarıizolyasiyalı SiC Substratlar
  • 2 düymlük Silikon Karbid Gofretlər 6H və ya 4H N tipli və ya Yarıizolyasiyalı SiC Substratlar

Qısa təsvir:

Karborundum kimi də tanınan silisium karbid (Tankeblue SiC vafliləri), SiC kimyəvi formulu olan silisium və karbondan ibarət yarımkeçiricidir. SiC yüksək temperaturda və ya yüksək gərginlikdə və ya hər ikisində işləyən yarımkeçirici elektronika cihazlarında istifadə olunur.SiC həmçinin mühüm LED komponentlərindən biridir, GaN cihazlarının böyüməsi üçün məşhur substratdır və eyni zamanda yüksək temperaturda istilik yayıcı kimi xidmət edir. güc LEDləri.


Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Tövsiyə olunan məhsullar

4H SiC vafli N-tipi
Çap: 2 düym 50,8 mm | 4 düym 100mm | 6 düym 150 mm
Orientasiya: oxdan kənar 4.0˚ <1120> ± 0.5˚
Müqavimət: < 0,1 ohm.sm
Kobudluq: Si-üz CMP Ra <0.5nm, C-üz optik cilası Ra <1 nm

4H SiC vafli yarı izolyasiya
Çap: 2 düym 50,8 mm | 4 düym 100mm | 6 düym 150 mm
Orientasiya: oxda {0001} ± 0,25˚
Müqavimət: >1E5 ohm.sm
Kobudluq: Si-üz CMP Ra <0.5nm, C-üz optik cilası Ra <1 nm

1. 5G infrastrukturu -- rabitə enerji təchizatı.
Rabitə enerji təchizatı server və baza stansiyalarının rabitəsi üçün enerji bazasıdır. Rabitə sisteminin normal işləməsini təmin etmək üçün müxtəlif ötürücü avadanlıqları elektrik enerjisi ilə təmin edir.

2. Yeni enerji vasitələrinin doldurma yığını -- şarj yığınının güc modulu.
Doldurma pilləsi güc modulunun yüksək səmərəliliyi və yüksək gücü, doldurma sürətini yaxşılaşdırmaq və doldurma xərclərini azaltmaq üçün doldurma yığını güc modulunda silisium karbidindən istifadə etməklə həyata keçirilə bilər.

3. Böyük məlumat mərkəzi, Sənaye İnterneti -- server enerji təchizatı.
Server enerji təchizatı server enerji kitabxanasıdır. Server, server sisteminin normal işləməsini təmin etmək üçün güc verir. Server enerji təchizatında silikon karbid enerji komponentlərinin istifadəsi server enerji təchizatının enerji sıxlığını və səmərəliliyini yaxşılaşdıra, bütövlükdə məlumat mərkəzinin həcmini azalda bilər, məlumat mərkəzinin ümumi tikinti xərclərini azalda bilər və daha yüksək ətraf mühitə nail ola bilər. səmərəlilik.

4. Uhv - Çevik ötürücü DC elektrik açarlarının tətbiqi.

5. Şəhərlərarası yüksək sürətli dəmir yolu və şəhərlərarası dəmir yolu tranziti -- dartma çeviriciləri, güc elektron transformatorları, köməkçi çeviricilər, köməkçi enerji təchizatı.

Parametr

Xüsusiyyətlər vahid Silikon SiC GaN
Bant boşluğu eni eV 1.12 3.26 3.41
Parçalanma sahəsi MV/sm 0.23 2.2 3.3
Elektron hərəkətliliyi sm^2/Vs 1400 950 1500
Drift sürəti 10^7 sm/s 1 2.7 2.5
İstilik keçiriciliyi W/cmK 1.5 3.8 1.3

Ətraflı Diaqram

2 düymlük Silicon Carbide Gofres 6H və ya 4H N-type4
2 düymlük Silicon Carbide Gofres 6H və ya 4H N-type5
2 düymlük Silicon Carbide Gofres 6H və ya 4H N-type6
2 düymlük Silicon Carbide Gofres 6H və ya 4H N-type7
  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:
    • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin

    Məhsul kateqoriyaları

    Axtarmaq üçün enter düyməsini və ya bağlamaq üçün ESC düyməsini basın