4H-N 8 düymlük SiC substrat lövhəsi Silikon Karbid Dummy Tədqiqat dərəcəli 500um qalınlıq

4H-N 8 düymlük SiC substrat lövhəsi Silikon Karbid Kulonu Tədqiqat dərəcəli 500um qalınlıq Seçilmiş Şəkil

Qısa Təsvir:

Silisium karbid lövhələri güc diodları, MOSFET-lər, yüksək güclü mikrodalğalı cihazlar və RF tranzistorları kimi elektron cihazlarda istifadə olunur ki, bu da səmərəli enerji çevrilməsinə və enerji idarəetməsinə imkan verir. SiC lövhələri və substratları həmçinin avtomobil elektronikasında, aerokosmik sistemlərdə və bərpa olunan enerji texnologiyalarında da istifadə olunur.

Bizə e-poçt göndərin

Xüsusiyyətlər

Silikon Karbid Plitələr və SiC Substratlarını Necə Seçirsiniz?

Silisium karbid (SiC) lövhələri və substratları seçərkən nəzərə alınmalı bir neçə amil var. Budur bəzi vacib meyarlar:

Material Növü: Tətbiqinizə uyğun SiC material növünü, məsələn, 4H-SiC və ya 6H-SiC-ni təyin edin. Ən çox istifadə edilən kristal quruluşu 4H-SiC-dir.

Dopinq Növü: Dopinqlənmiş və ya dopinqlənməmiş SiC substratına ehtiyacınız olub-olmadığına qərar verin. Xüsusi tələblərinizdən asılı olaraq, ümumi dopinq növləri N-tipli (n-dopinqlənmiş) və ya P-tipli (p-dopinqlənmiş) olur.

Kristal Keyfiyyəti: SiC lövhələrinin və ya substratlarının kristal keyfiyyətini qiymətləndirin. İstənilən keyfiyyət qüsurların sayı, kristalloqrafik istiqamət və səthin pürüzlülüyü kimi parametrlərlə müəyyən edilir.

Lövhənin diametri: Tətbiqinizə əsasən uyğun lövhə ölçüsünü seçin. Ümumi ölçülərə 2 düym, 3 düym, 4 düym və 6 düym daxildir. Diametr nə qədər böyükdürsə, lövhədən bir o qədər çox məhsul əldə edə bilərsiniz.

Qalınlıq: SiC lövhələrinin və ya substratlarının istənilən qalınlığını nəzərə alın. Tipik qalınlıq seçimləri bir neçə mikrometrdən bir neçə yüz mikrometrə qədər dəyişir.

İstiqamətləndirmə: Tətbiqinizin tələblərinə uyğun kristalloqrafik istiqaməti müəyyənləşdirin. Ümumi istiqamətlərə 4H-SiC üçün (0001) və 6H-SiC üçün (0001) və ya (0001̅) daxildir.

Səthin İşlənməsi: SiC lövhələrinin və ya substratlarının səthinin işlənməsini qiymətləndirin. Səth hamar, cilalanmış və cızıqlardan və çirkləndiricilərdən azad olmalıdır.

Təchizatçı Reputasiyası: Yüksək keyfiyyətli SiC lövhələri və substratları istehsalında geniş təcrübəyə malik nüfuzlu bir təchizatçı seçin. İstehsal imkanları, keyfiyyətə nəzarət və müştəri rəyləri kimi amilləri nəzərə alın.

Qiymət: Hər lövhə və ya substrat üçün qiymət və əlavə fərdiləşdirmə xərcləri daxil olmaqla, xərc təsirlərini nəzərə alın.

Seçilmiş SiC lövhələrinin və substratlarının sizin xüsusi tətbiq tələblərinizə cavab verdiyinə əmin olmaq üçün bu amilləri diqqətlə qiymətləndirmək və sənaye mütəxəssisləri və ya təchizatçıları ilə məsləhətləşmək vacibdir.