4H-N 8 düym SiC substrat vafli Silikon Karbid Dummy Tədqiqat dərəcəsi 500um qalınlıq

4H-N 8 düym SiC substrat vafli Silikon Karbid Dummy Tədqiqat dərəcəsi 500um qalınlığında Xüsusi Şəkil

Qısa təsvir:

Silikon karbid lövhələri enerji diodları, MOSFET-lər, yüksək güclü mikrodalğalı cihazlar və RF tranzistorları kimi elektron cihazlarda istifadə olunur, bu da enerjinin səmərəli çevrilməsini və enerjinin idarə olunmasını təmin edir. SiC vafliləri və substratları həmçinin avtomobil elektronikasında, aerokosmik sistemlərdə və bərpa olunan enerji texnologiyalarında istifadə olunur.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Silikon Karbid Gofretləri və SiC Substratlarını Necə Seçirsiniz?

Silikon karbid (SiC) vafliləri və substratları seçərkən nəzərə alınmalı bir neçə amil var. Burada bəzi vacib meyarlar var:

Material növü: 4H-SiC və ya 6H-SiC kimi tətbiqinizə uyğun olan SiC materialının növünü müəyyənləşdirin. Ən çox istifadə edilən kristal quruluş 4H-SiC-dir.

Dopinq növü: Doping və ya əlavə edilməmiş SiC substratına ehtiyacınız olub olmadığına qərar verin. Ümumi dopinq növləri sizin xüsusi tələblərinizdən asılı olaraq N-tipi (n-qatqılı) və ya P-tipi (p-qatqılı) olur.

Kristal Keyfiyyəti: SiC vafli və ya substratların kristal keyfiyyətini qiymətləndirin. İstənilən keyfiyyət qüsurların sayı, kristalloqrafik oriyentasiya və səth pürüzlülüyü kimi parametrlərlə müəyyən edilir.

Vafli diametri: Tətbiqinizə əsasən uyğun vafli ölçüsünü seçin. Ümumi ölçülərə 2 düym, 3 düym, 4 düym və 6 düym daxildir. Diametri nə qədər böyükdürsə, bir vaflidən bir o qədər çox məhsul əldə edə bilərsiniz.

Qalınlıq: SiC vafli və ya substratların istədiyiniz qalınlığını nəzərə alın. Tipik qalınlıq variantları bir neçə mikrometrdən bir neçə yüz mikrometrə qədərdir.

Orientasiya: Tətbiqinizin tələblərinə uyğun gələn kristalloqrafik oriyentasiyanı müəyyənləşdirin. Ümumi istiqamətlərə 4H-SiC üçün (0001) və 6H-SiC üçün (0001) və ya (0001̅) daxildir.

Səthi bitirmə: SiC vafli və ya substratların səthini qiymətləndirin. Səth hamar, cilalanmış və cızıqlardan və ya çirkləndiricilərdən təmizlənməlidir.

Təchizatçı Reputasiyası: Yüksək keyfiyyətli SiC vafli və substratların istehsalında böyük təcrübəyə malik olan nüfuzlu təchizatçı seçin. İstehsal imkanları, keyfiyyətə nəzarət və müştəri rəyləri kimi amilləri nəzərdən keçirin.

Xərc: Bir vafli və ya substratın qiyməti və hər hansı əlavə fərdiləşdirmə xərcləri daxil olmaqla, xərc təsirlərini nəzərə alın.

Bu amilləri diqqətlə qiymətləndirmək və seçilmiş SiC vafli və substratların xüsusi tətbiq tələblərinizə cavab verməsini təmin etmək üçün sənaye mütəxəssisləri və ya təchizatçılarla məsləhətləşmək vacibdir.