6 düymlük GaN-On-Sapphire
150 mm 6 düymlük Silikon/Sapphire/SiC Epi-layer lövhəsi Qallium nitrid epitaksial lövhə
6 düymlük sapfir substrat lövhəsi, sapfir substrat üzərində yetişdirilən qallium nitrid (GaN) təbəqələrindən ibarət yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici materialdır. Material əla elektron daşıma xüsusiyyətlərinə malikdir və yüksək güclü və yüksək tezlikli yarımkeçirici cihazların istehsalı üçün idealdır.
İstehsal üsulu: İstehsal prosesi, metal-üzvi kimyəvi buxar çöküntüsü (MOCVD) və ya molekulyar şüa epitaksiyası (MBE) kimi qabaqcıl üsullardan istifadə edərək sapfir substrat üzərində GaN təbəqələrinin yetişdirilməsini əhatə edir. Çöküntü prosesi yüksək kristal keyfiyyəti və vahid təbəqə təmin etmək üçün nəzarətli şəraitdə həyata keçirilir.
6 düymlük GaN-On-Sapphire tətbiqləri: 6 düymlük sapfir substrat çipləri mikrodalğalı rabitə, radar sistemləri, simsiz texnologiya və optoelektronikada geniş istifadə olunur.
Bəzi ümumi tətbiqlər daxildir
1. Rf güc gücləndiricisi
2. LED işıqlandırma sənayesi
3. Simsiz şəbəkə rabitə avadanlığı
4. Yüksək temperaturlu mühitdə elektron cihazlar
5. Optoelektron cihazlar
Məhsulun xüsusiyyətləri
- Ölçü: Substratın diametri 6 düymdür (təxminən 150 mm).
- Səth keyfiyyəti: Mükəmməl güzgü keyfiyyəti təmin etmək üçün səth incə cilalanmışdır.
- Qalınlıq: GaN təbəqəsinin qalınlığı xüsusi tələblərə uyğun olaraq tənzimlənə bilər.
- Qablaşdırma: Daşınma zamanı zədələnməməsi üçün substrat diqqətlə antistatik materiallarla doludur.
- Kənarların yerləşdirilməsi: Substratın cihazın hazırlanması zamanı hizalanmanı və işləməsini asanlaşdıran xüsusi yerləşdirilməsi kənarları var.
- Digər parametrlər: İncəlik, müqavimət və aşqar konsentrasiyası kimi xüsusi parametrlər müştəri tələblərinə uyğun olaraq tənzimlənə bilər.
Üstün material xüsusiyyətləri və müxtəlif tətbiqləri ilə 6 düymlük sapfir substrat lövhələri müxtəlif sənaye sahələrində yüksək performanslı yarımkeçirici cihazların inkişafı üçün etibarlı seçimdir.
| Substrat | 6 düym 1 mm <111> p-tipli Si | 6 düym 1 mm <111> p-tipli Si |
| Epi QalınOrta | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Yay | +/-45um | +/-45um |
| Çatlama | <5 mm | <5 mm |
| Şaquli BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT QalınOrta | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG konsentrasiyası. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobillik | ~2000 sm2/Vs (<2%) | ~2000 sm2/Vs (<2%) |
| Rş | <330 ohm/kvadrat (<2%) | <330 ohm/kvadrat (<2%) |
Ətraflı Diaqram
