6 düymlük GaN-On-Sapphire
Silikon/Safir/SiC üzərində 150 mm 6 düym GaN Epi-laylı vafli Qallium nitridi epitaksial vafli
6 düymlük sapfir substratlı vafli sapfir substratda yetişdirilmiş qallium nitridi (GaN) qatlarından ibarət yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici materialdır. Material əla elektron nəqliyyat xüsusiyyətlərinə malikdir və yüksək güclü və yüksək tezlikli yarımkeçirici cihazların istehsalı üçün idealdır.
İstehsal üsulu: İstehsal prosesi, metal-üzvi kimyəvi buxar çökmə (MOCVD) və ya molekulyar şüa epitaksisi (MBE) kimi qabaqcıl üsullardan istifadə edərək, sapfir substratda GaN təbəqələrinin yetişdirilməsini əhatə edir. Çökmə prosesi yüksək kristal keyfiyyətini və vahid filmi təmin etmək üçün nəzarət edilən şəraitdə həyata keçirilir.
6 düymlük GaN-On-Sapphire tətbiqləri: 6 düymlük sapfir substrat çipləri mikrodalğalı rabitə, radar sistemləri, simsiz texnologiya və optoelektronikada geniş istifadə olunur.
Bəzi ümumi tətbiqlər daxildir
1. Rf güc gücləndiricisi
2. LED işıqlandırma sənayesi
3. Simsiz şəbəkə rabitə avadanlığı
4. Yüksək temperatur mühitində elektron cihazlar
5. Optoelektronik cihazlar
Məhsulun spesifikasiyası
- Ölçü: Substratın diametri 6 düymdür (təxminən 150 mm).
- Səth keyfiyyəti: Səth əla güzgü keyfiyyətini təmin etmək üçün incə cilalanmışdır.
- Qalınlıq: GaN təbəqəsinin qalınlığı xüsusi tələblərə uyğun olaraq fərdiləşdirilə bilər.
- Qablaşdırma: Daşınma zamanı zədələnməməsi üçün substrat diqqətlə antistatik materiallarla qablaşdırılır.
- Yerləşdirmə kənarları: Substratın cihazın hazırlanması zamanı hizalanmasını və işləməsini asanlaşdıran xüsusi yerləşdirmə kənarları var.
- Digər parametrlər: İncəlik, müqavimət və dopinq konsentrasiyası kimi spesifik parametrlər müştəri tələblərinə uyğun olaraq tənzimlənə bilər.
Üstün material xüsusiyyətləri və müxtəlif tətbiqləri ilə 6 düymlük sapfir substrat vafliləri müxtəlif sənaye sahələrində yüksək performanslı yarımkeçirici cihazların inkişafı üçün etibarlı seçimdir.
| Substrat | 6” 1mm <111> p tipli Si | 6” 1mm <111> p tipli Si |
| Epi QalınOrt | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Yay | +/-45 um | +/-45 um |
| Çatlama | <5 mm | <5 mm |
| Şaquli BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT QalınOrt | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG kons. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Hərəkətlilik | ~2000sm2/Vs (<2%) | ~2000sm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
Ətraflı Diaqram
