8 düym 200 mm 4H-N SiC vafli keçirici dummy tədqiqat dərəcəsi

Qısa təsvir:

Nəqliyyat, enerji və sənaye bazarları inkişaf etdikcə etibarlı, yüksək performanslı güc elektronikasına tələbat artmaqda davam edir. Təkmilləşdirilmiş yarımkeçirici performans ehtiyaclarını ödəmək üçün cihaz istehsalçıları geniş diapazonlu yarımkeçirici materialları, məsələn, 4H n tipli silisium karbid (SiC) plastinalarından ibarət 4H SiC Prime Grade portfelimizi axtarırlar.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Unikal fiziki və elektron xüsusiyyətlərinə görə, 200 mm SiC vafli yarımkeçirici material yüksək performanslı, yüksək temperatura, radiasiyaya davamlı və yüksək tezlikli elektron cihazların yaradılması üçün istifadə olunur. 8 düymlük SiC substratın qiyməti texnologiya daha təkmilləşdikcə və tələb artdıqca tədricən azalır. Son texnologiya inkişafları 200 mm SiC vaflilərinin istehsal miqyasında istehsalına gətirib çıxarır. SiC vafli yarımkeçirici materialların Si və GaAs vafliləri ilə müqayisədə əsas üstünlükləri: Uçqun dağılması zamanı 4H-SiC-nin elektrik sahəsinin gücü Si və GaAs üçün müvafiq dəyərlərdən daha yüksəkdir. Bu, Ron dövlət müqavimətinin əhəmiyyətli dərəcədə azalmasına səbəb olur. Aşağı dövlət müqaviməti, yüksək cərəyan sıxlığı və istilik keçiriciliyi ilə birlikdə, güc cihazları üçün çox kiçik kalıpların istifadəsinə imkan verir. SiC-nin yüksək istilik keçiriciliyi çipin istilik müqavimətini azaldır. SiC vaflilərə əsaslanan cihazların elektron xassələri zamanla və temperaturda sabitdir ki, bu da məhsulların yüksək etibarlılığını təmin edir. Silikon karbid, çipin elektron xüsusiyyətlərini pisləşdirməyən sərt radiasiyaya son dərəcə davamlıdır. Kristalın yüksək məhdudlaşdırıcı iş temperaturu (6000C-dən çox) çətin iş şəraiti və xüsusi tətbiqlər üçün yüksək etibarlı qurğular yaratmağa imkan verir. Hal-hazırda, biz davamlı və davamlı kiçik partiya 200mmSiC vafli təmin edə bilər və anbarda bəzi ehtiyatlarımız var.

Spesifikasiya

Nömrə	Maddə	Vahid	İstehsal	Araşdırma	dummy
1. Parametrlər
1.1	politip	--	4H	4H	4H
1.2	səth oriyentasiyası	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Elektrik parametri
2.1	dopant	--	n-tipli azot	n-tipli azot	n-tipli azot
2.2	müqavimət	ohm · sm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Mexaniki parametr
3.1	diametri	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	qalınlığı	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Çentik oriyentasiyası	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Çəngəl dərinliyi	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Yay	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Çarpma	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4. Quruluş
4.1	mikroborunun sıxlığı	e/sm2	≤2	≤10	≤50
4.2	metal tərkibi	atomlar/sm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	e/sm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	e/sm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	e/sm2	≤7000	≤10000	NA
5. Müsbət keyfiyyət
5.1	ön	--	Si	Si	Si
5.2	səthi bitirmə	--	Si-üzlü CMP	Si-üzlü CMP	Si-üzlü CMP
5.3	hissəcik	ea / gofret	≤100(ölçü≥0.3μm)	NA	NA
5.4	cızmaq	ea / gofret	≤5,Ümumi Uzunluq≤200mm	NA	NA
5.5	Kənar çiplər / girintilər / çatlar / ləkələr / çirklənmə	--	Heç biri	Heç biri	NA
5.6	Politip sahələr	--	Heç biri	Sahə ≤10%	Sahə ≤30%
5.7	ön işarələmə	--	Heç biri	Heç biri	Heç biri
6. Arxa keyfiyyət
6.1	arxa finiş	--	C üzlü deputat	C üzlü deputat	C üzlü deputat
6.2	cızmaq	mm	NA	NA	NA
6.3	Arxa qüsurların kənarı çiplər / girintilər	--	Heç biri	Heç biri	NA
6.4	Arxa pürüzlülük	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Geri işarələmə	--	çentik	çentik	çentik
7. Kənar
7.1	kənar	--	pax	pax	pax
8. Paket
8.1	qablaşdırma	--	Vakuum ilə epi-hazır qablaşdırma	Vakuum ilə epi-hazır qablaşdırma	Vakuum ilə epi-hazır qablaşdırma
8.2	qablaşdırma	--	Çox vafli kaset qablaşdırması	Çox vafli kaset qablaşdırması	Çox vafli kaset qablaşdırması