sapfir külçə 3 düym 4 düym 6 düym Monokristal CZ KY üsulu Özelleştirilebilir

Fövqəladə Saflıq və Keyfiyyət:
Safir külçələri qüsursuz monokristal quruluşu təmin edən yüksək təmizlikli alüminium oksiddən (99,999%) hazırlanmışdır. İstehsal zamanı tətbiq edilən qabaqcıl kristal böyümə üsulları məsamələr, çiplər və əkizlər kimi qüsurları minimuma endirir, nəticədə minimal dislokasiya və müstəsna performansa malik külçələr əldə edilir.

Çox yönlü Ölçü və Fərdiləşdirmə:
3 düym, 4 düym və 6 düym standart diametrlərdə təklif olunan bu külçələr xüsusi tətbiqlərin unikal tələblərinə cavab vermək üçün tamamilə fərdiləşdirilə bilər. Fərdiləşdirmələrə diametri, uzunluğu, oriyentasiyası və səthi bitirmə daxil ola bilər ki, bu da onları müxtəlif sənaye sahələri üçün uyğun edir.

Geniş Optik Şəffaflıq:
Sapphire ultrabənövşəyi (150nm) orta infraqırmızı (5500nm) qədər geniş dalğa uzunluğu diapazonunda əla şəffaflıq nümayiş etdirir. Bu, onu yüksək aydınlıq və minimal udma tələb edən optik tətbiqlər üçün ideal hala gətirir.

Görkəmli Mexanik Xüsusiyyətlər:
Mohs sərtlik şkalasında 9-cu yerdə olan sapfir sərtliyə görə almazdan sonra ikinci yerdədir. Bu, cızıqlara qarşı müstəsna müqavimət və davamlılıq təmin edərək, çətin mühitlərdə uzun xidmət müddətini təmin edir.

Termal və Kimyəvi Sabitlik:
Safir külçələri bütövlüklərini pozmadan 2000°C-ə qədər ekstremal temperaturlara davam edə bilirlər. Onlar həmçinin kimyəvi cəhətdən inertdirlər, turşulara, qələvilərə və digər aşındırıcı maddələrə əla müqavimət göstərirlər.

İstehsal Prosesləri
Czochralski (CZ) Metod:

Bu texnika dəqiq termal və fırlanma nəzarətlərindən istifadə edərək ərimiş alüminium oksid vannasından tək kristalın çıxarılmasını nəzərdə tutur.
Yarımkeçiricilərdə və optikada tətbiqlər üçün ideal olan aşağı qüsur sıxlığına malik yüksək keyfiyyətli külçələr istehsal edir.
Kyropoulos (KY) Metod:

Bu proses ərinmiş alüminium oksidini yavaş-yavaş soyutmaqla böyük, yüksək keyfiyyətli sapfir kristallarını yetişdirir.
KY-də yetişdirilən sapfir külçələri xüsusilə aşağı gərginlik və vahid xassələri üçün qiymətləndirilir və bu, onları yüksək performanslı tətbiqlər üçün ideal edir.
Hər iki üsul üstün aydınlıq, minimal dislokasiya sıxlığı (EPD ≤ 1000/sm²) və ardıcıl fiziki xüsusiyyətlərə malik külçələrə nail olmaq üçün uyğunlaşdırılmışdır.