SiC
-
6 Silisium Karbid 4H-SiC Yarıizolyasiya Külçəsi, Dummy dərəcəli
-
SiC Külçə 4H tipli Dia 4 düym 6 düym Qalınlıq 5-10 mm Tədqiqat / Dummy Dərəcəsi
-
3 düymlük Yüksək Saflıqda (Təmizlənməmiş) Silikon Karbid Vafli Yarı İzolyasiyaedici Sic Substratlar (HPSl)
-
Sic Substrat Silikon Karbid Gofret 4H-N Tipi Yüksək Sərtlik Korroziyaya Müqavimət Baş Dərəcəli Cilalama
-
2 düym Silikon Karbid Gofret 6H-N Tipi Baş Dərəcəli Tədqiqat Dərəcəsi Dummy Dərəcəsi 330μm 430μm Qalınlıq
-
2 düymlük silisium karbid substratı 6H-N ikitərəfli cilalanmış diametri 50,8 mm istehsal dərəcəli tədqiqat dərəcəsi
-
N-Tip SiC Kompozit Substratlar Dia6inch Yüksək keyfiyyətli monokristal və aşağı keyfiyyətli substrat
-
Yarıizolyasiya edən SiC Kompozit Substratlar Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
Si Kompozit Substratlarda N-Tipi SiC Dia6inch
-
SiC substratı Dia200mm 4H-N və HPSI Silikon karbid
-
3inch SiC substrat istehsalı Dia76.2mm 4H-N
-
SiC substratı P və D dərəcəli Dia50mm 4H-N 2 düym