Silikon 8 düymlük və 6 düymlük SOI (Silicon-On-İzolyator) vaflilərində SOI vafli izolyatoru

Silikon 8 düym və 6 düymlük SOI (İzolyatorda Silikon) vaflilərində SOI vafli izolyatoru Xüsusi Şəkil

Qısa təsvir:

Üç fərqli təbəqədən ibarət olan Silicon-On-İzolyator (SOI) vaflisi mikroelektronika və radiotezlik (RF) tətbiqləri sahəsində təməl daşı kimi ortaya çıxır. Bu mücərrəd bu yenilikçi substratın əsas xüsusiyyətlərini və müxtəlif tətbiqlərini aydınlaşdırır.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Gofret qutusunun təqdimatı

Üst silikon təbəqədən, izolyasiya edən oksid təbəqəsindən və alt silikon substratdan ibarət üç qatlı SOI vafli mikroelektronika və RF sahələrində misilsiz üstünlüklər təklif edir. Yüksək keyfiyyətli kristal silisiumdan ibarət üst silikon təbəqə mürəkkəb elektron komponentlərin dəqiqlik və səmərəliliklə inteqrasiyasını asanlaşdırır. Parazitar tutumu minimuma endirmək üçün diqqətlə hazırlanmış izolyasiya edən oksid təbəqəsi arzuolunmaz elektrik müdaxiləsini azaldaraq cihazın işini artırır. Alt silisium substratı mexaniki dəstək verir və mövcud silikon emal texnologiyaları ilə uyğunluğu təmin edir.

Mikroelektronikada SOI vafli üstün sürət, enerji səmərəliliyi və etibarlılığı ilə qabaqcıl inteqral sxemlərin (IC) istehsalı üçün təməl kimi xidmət edir. Onun üç qatlı arxitekturası CMOS (Tamamlayıcı Metal-Oxid-Yarımkeçirici) IC-lər, MEMS (Mikro-Elektro-Mexaniki Sistemlər) və güc cihazları kimi mürəkkəb yarımkeçirici cihazların inkişafına imkan verir.

RF domenində SOI vafli RF cihaz və sistemlərinin dizaynında və tətbiqində əla performans nümayiş etdirir. Onun aşağı parazit tutumu, yüksək parçalanma gərginliyi və əla izolyasiya xüsusiyyətləri onu RF açarları, gücləndiricilər, filtrlər və digər RF komponentləri üçün ideal substrata çevirir. Bundan əlavə, SOI vaflisinin özünəməxsus radiasiya tolerantlığı onu sərt mühitlərdə etibarlılığın əsas olduğu aerokosmik və müdafiə tətbiqləri üçün uyğun edir.

Bundan əlavə, SOI vaflisinin çox yönlüliyi fotonik inteqral sxemlər (PICs) kimi inkişaf etməkdə olan texnologiyalara şamil edilir, burada optik və elektron komponentlərin vahid substratda inteqrasiyası gələcək nəsil telekommunikasiya və məlumat kommunikasiya sistemləri üçün vəd verir.

Xülasə, üç qatlı Silicon-On-İzolyator (SOI) vafli mikroelektronika və RF tətbiqlərində yeniliklərin önündə dayanır. Onun unikal memarlığı və müstəsna performans xüsusiyyətləri müxtəlif sənayelərdə irəliləyişlərə yol açır, tərəqqiyə təkan verir və texnologiyanın gələcəyini formalaşdırır.