3 düymlük yüksək təmizlikli yarı izolyasiyaedici （HPSI）SiC lövhə 350um Dummy dərəcəli Prime dərəcəli
Tətbiq
HPSI SiC lövhələri müxtəlif yüksək performanslı tətbiqlərdə istifadə olunan yeni nəsil güc cihazlarının yaradılmasında mühüm rol oynayır:
Güc Çevirmə Sistemləri: SiC lövhələri elektrik dövrələrində səmərəli güc çevrilməsi üçün vacib olan güc MOSFET-ləri, diodlar və IGBT-lər kimi güc cihazları üçün əsas material rolunu oynayır. Bu komponentlər yüksək səmərəli enerji təchizatı, mühərrik ötürücüləri və sənaye invertorlarında mövcuddur.
Elektrikli Nəqliyyat Vasitələri (EV):Elektrikli nəqliyyat vasitələrinə artan tələbat daha səmərəli güc elektronikasının istifadəsini zəruri edir və SiC lövhələri bu transformasiyanın ön sıralarındadır. Elektrikli nəqliyyat vasitələrinin güc ötürücülərində bu lövhələr yüksək səmərəlilik və sürətli keçid imkanları təmin edir ki, bu da daha sürətli doldurma müddətinə, daha uzun məsafəyə və nəqliyyat vasitəsinin ümumi performansının yaxşılaşdırılmasına kömək edir.
Bərpa olunan Enerji:Günəş və külək enerjisi kimi bərpa olunan enerji sistemlərində SiC lövhələri daha səmərəli enerji tutma və paylanmanı təmin edən invertorlarda və çeviricilərdə istifadə olunur. SiC-nin yüksək istilik keçiriciliyi və üstün parçalanma gərginliyi bu sistemlərin hətta ekstremal ətraf mühit şəraitində belə etibarlı şəkildə işləməsini təmin edir.
Sənaye Avtomatlaşdırması və Robototexnika:Sənaye avtomatlaşdırma sistemlərində və robototexnika sahəsində yüksək performanslı güc elektronikası, sürətli keçid qabiliyyətinə malik, böyük güc yüklərini idarə edə bilən və yüksək gərginlik altında işləyə bilən cihazlar tələb edir. SiC əsaslı yarımkeçiricilər, hətta sərt iş mühitlərində belə daha yüksək səmərəlilik və möhkəmlik təmin etməklə bu tələblərə cavab verir.
Telekommunikasiya Sistemləri:Yüksək etibarlılığın və səmərəli enerji çevrilməsinin vacib olduğu telekommunikasiya infrastrukturunda SiC lövhələri enerji təchizatı və DC-DC çeviricilərində istifadə olunur. SiC cihazları məlumat mərkəzlərində və rabitə şəbəkələrində enerji istehlakını azaltmağa və sistem performansını artırmağa kömək edir.
Yüksək güclü tətbiqlər üçün möhkəm bir təməl təmin etməklə, HPSI SiC lövhəsi enerjiyə qənaət edən cihazların hazırlanmasına imkan verir və sənaye sahələrinin daha ekoloji cəhətdən təmiz və daha dayanıqlı həllərə keçidinə kömək edir.
Əmlaklar
| əməliyyat | İstehsal dərəcəsi | Tədqiqat dərəcəsi | Saxta Dərəcə |
| Diametr | 75.0 mm ± 0.5 mm | 75.0 mm ± 0.5 mm | 75.0 mm ± 0.5 mm |
| Qalınlıq | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Vafli İstiqaməti | Oxda: <0001> ± 0.5° | Oxda: <0001> ± 2.0° | Oxda: <0001> ± 2.0° |
| Lövhələrin 95%-i üçün mikroboru sıxlığı (MPD) | ≤ 1 sm⁻² | ≤ 5 sm⁻² | ≤ 15 sm⁻² |
| Elektrik Müqaviməti | ≥ 1E7 Ω·sm | ≥ 1E6 Ω·sm | ≥ 1E5 Ω·sm |
| Dopant | Doplanmamış | Doplanmamış | Doplanmamış |
| Əsas Düz Orientasiya | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° |
| Əsas Düz Uzunluq | 32.5 mm ± 3.0 mm | 32.5 mm ± 3.0 mm | 32.5 mm ± 3.0 mm |
| İkinci dərəcəli düz uzunluq | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm |
| İkinci dərəcəli düz istiqamət | Si üzü yuxarı: əsas düzdən 90° CW ± 5.0° | Si üzü yuxarı: əsas düzdən 90° CW ± 5.0° | Si üzü yuxarı: əsas düzdən 90° CW ± 5.0° |
| Kənar İstisnası | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm |
| Səthin Kobudluğu | C-üz: Cilalanmış, Si-üz: CMP | C-üz: Cilalanmış, Si-üz: CMP | C-üz: Cilalanmış, Si-üz: CMP |
| Çatlar (yüksək intensivlikli işıqla yoxlanılıb) | Heç biri | Heç biri | Heç biri |
| Altıbucaqlı lövhələr (yüksək intensivlikli işıqla yoxlanılır) | Heç biri | Heç biri | Kümülatif sahə 10% |
| Politip Sahələr (yüksək intensivlikli işıqla yoxlanılır) | Kümülatif sahə 5% | Kümülatif sahə 5% | Kümülatif sahə 10% |
| Cızıqlar (yüksək intensivlikli işıqla yoxlanılır) | ≤ 5 cızıq, ümumi uzunluq ≤ 150 mm | ≤ 10 cızıq, ümumi uzunluq ≤ 200 mm | ≤ 10 cızıq, ümumi uzunluq ≤ 200 mm |
| Kənarların yonulması | Eni və dərinliyi ≥ 0,5 mm-dən çox olmamalıdır | 2 icazə verilir, ≤ 1 mm en və dərinlik | 5 icazə verilir, ≤ 5 mm eni və dərinliyi |
| Səth çirklənməsi (yüksək intensivlikli işıqla yoxlanılır) | Heç biri | Heç biri | Heç biri |
Əsas üstünlüklər
Üstün İstilik Performansı: SiC-nin yüksək istilik keçiriciliyi güc cihazlarında səmərəli istilik yayılmasını təmin edir və bu da onların həddindən artıq istiləşmədən daha yüksək güc səviyyələrində və tezliklərdə işləməsinə imkan verir. Bu, daha kiçik, daha səmərəli sistemlərə və daha uzun istismar ömrünə səbəb olur.
Yüksək Qırılma Gərginliyi: Silikonla müqayisədə daha geniş zolaq boşluğuna malik SiC lövhələri yüksək gərginlikli tətbiqləri dəstəkləyir və bu da onları elektrik nəqliyyat vasitələri, şəbəkə enerji sistemləri və bərpa olunan enerji sistemləri kimi yüksək qırılma gərginliklərinə davam gətirməli olan güclü elektron komponentlər üçün ideal hala gətirir.
Azaldılmış Enerji İtkisi: SiC cihazlarının aşağı qoşulma müqaviməti və sürətli keçid sürətləri əməliyyat zamanı enerji itkisinin azalmasına səbəb olur. Bu, təkcə səmərəliliyi artırmaqla yanaşı, həm də onların yerləşdirildiyi sistemlərin ümumi enerji qənaətini artırır.
Sərt mühitlərdə etibarlılığın artırılması: SiC-nin möhkəm material xüsusiyyətləri onun yüksək temperatur (600°C-yə qədər), yüksək gərginliklər və yüksək tezliklər kimi ekstremal şəraitdə işləməsinə imkan verir. Bu, SiC lövhələrini tələbkar sənaye, avtomobil və enerji tətbiqləri üçün uyğun edir.
Enerji Səmərəliliyi: SiC cihazları ənənəvi silikon əsaslı cihazlara nisbətən daha yüksək enerji sıxlığı təklif edir, ümumi səmərəliliyini artırarkən güc elektron sistemlərinin ölçüsünü və çəkisini azaldır. Bu, bərpa olunan enerji və elektrikli nəqliyyat vasitələri kimi tətbiqlərdə xərc qənaətinə və daha az ətraf mühitə təsirə səbəb olur.
Ölçülənəbilirlik: HPSI SiC lövhəsinin 3 düymlük diametri və dəqiq istehsal tolerantlıqları, həm tədqiqat, həm də kommersiya istehsal tələblərinə cavab verərək kütləvi istehsal üçün miqyaslandırıla biləcəyini təmin edir.
Nəticə
3 düymlük diametri və 350 µm ± 25 µm qalınlığı ilə HPSI SiC lövhəsi, yüksək performanslı güclü elektron cihazların növbəti nəsli üçün optimal materialdır. İstilik keçiriciliyi, yüksək parçalanma gərginliyi, aşağı enerji itkisi və ekstremal şəraitdə etibarlılığın unikal birləşməsi onu enerji çevrilməsi, bərpa olunan enerji, elektrik nəqliyyat vasitələri, sənaye sistemləri və telekommunikasiya sahələrində müxtəlif tətbiqlər üçün vacib bir komponentə çevirir.
Bu SiC lövhəsi, xüsusilə daha yüksək səmərəlilik, daha çox enerji qənaəti və təkmilləşdirilmiş sistem etibarlılığına nail olmaq istəyən sənaye sahələri üçün uyğundur. Güc elektronikası texnologiyası inkişaf etməyə davam etdikcə, HPSI SiC lövhəsi daha dayanıqlı, az karbonlu gələcəyə keçidi sürətləndirərək, yeni nəsil, enerjiyə qənaət edən həllərin inkişafı üçün təməl yaradır.
Ətraflı Diaqram
