4 düymlük SiC Gofretləri 6H Yarı İzolyasiyalı SiC Substratlar əsas, tədqiqat və dummy dərəcəli
Məhsulun spesifikasiyası
| Dərəcə | Sıfır MPD İstehsal Qiyməti (Z Dərəcəsi) | Standart istehsal dərəcəsi (P dərəcəsi) | Dummy Dərəcəsi (D Dərəcəsi) | ||||||||
| Diametri | 99,5 mm~100,0 mm | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | |||||||||
| Gofret istiqaməti |
Off ox: 4H-N üçün 4,0°< 1120 > ±0,5°, On ox: <0001>4H-SI üçün ±0,5° | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1 sm-2 | ≤5 sm-2 | ≤15 sm-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·sm | ≥1E5 Ω·sm | |||||||||
| İlkin Düz Orientasiya | {10-10} ±5,0° | ||||||||||
| İlkin Düz Uzunluq | 32,5 mm±2,0 mm | ||||||||||
| İkinci dərəcəli düz uzunluq | 18,0 mm±2,0 mm | ||||||||||
| İkinci dərəcəli düz istiqamətləndirmə | Silikon üzü yuxarı: 90° CW. Prime flat-dən ±5.0° | ||||||||||
| Kənar İstisna | 3 mm | ||||||||||
| LTV / TTV / Yay / Çözgü | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| Kobudluq | C üz | polyak | Ra≤1 nm | ||||||||
| Si üz | CMP | Ra≤0.2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||||||
| Yüksək İntensiv İşıqla Kenar Çatları | Heç biri | Kumulyativ uzunluq ≤ 10 mm, tək uzunluq≤2 mm | |||||||||
| Yüksək İntensiv İşıqla Hex Plitələr | Kumulyativ sahə ≤0,05% | Kumulyativ sahə ≤0,1% | |||||||||
| Yüksək İntensiv İşıqla Politip Sahələri | Heç biri | Kumulyativ sahə≤3% | |||||||||
| Vizual Karbon daxilolmaları | Kumulyativ sahə ≤0,05% | Kumulyativ sahə ≤3% | |||||||||
| Silikon Səthi Yüksək İntensiv İşıqla Cızıqlar | Heç biri | Kümülatif uzunluq≤1＊vafli diametri | |||||||||
| İntensiv İşıqla Yüksək Kenar Çipləri | Heç biri ≥0,2 mm eni və dərinliyinə icazə verilmir | 5 icazə verilir, hər biri ≤1 mm | |||||||||
| Silikon Səthinin Yüksək İntensivliklə Çirklənməsi | Heç biri | ||||||||||
| Qablaşdırma | Çox vafli Kaset və ya Tək Vafli Konteyner | ||||||||||
Ətraflı Diaqram
Əlaqədar Məhsullar
Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin