3 düymlük Diametri 76.2 mm olan SiC substratları HPSI Prime Research və Dummy dərəcəli

Keçirici substrat: 15 ~ 30mΩ-cm silikon karbid substratının müqavimətinə aiddir. Keçirici silikon karbid substratından yetişdirilən silikon karbid epitaksial lövhə daha sonra yeni enerji nəqliyyat vasitələrində, fotovoltaiklərdə, ağıllı şəbəkələrdə və dəmir yolu nəqliyyatında geniş istifadə olunan enerji cihazlarına çevrilə bilər.

Yarı izolyasiyaedici substrat, əsasən qallium nitrid mikrodalğalı radiotezlikli cihazların istehsalında istifadə olunan 100000Ω-cm-dən yüksək müqavimətə malik silikon karbid substratına aiddir və simsiz rabitə sahəsinin əsasını təşkil edir.

Simsiz rabitə sahəsində əsas komponentdir.

Silikon karbid keçirici və yarı izolyasiyaedici substratlar aşağıdakılar da daxil olmaqla, lakin bunlarla məhdudlaşmayaraq geniş çeşiddə elektron cihazlarda və güc cihazlarında istifadə olunur:

Yüksək güclü yarımkeçirici cihazlar (keçirici): Silikon karbid substratları yüksək parçalanma sahəsi gücünə və istilik keçiriciliyinə malikdir və yüksək güclü tranzistorların, diodların və digər cihazların istehsalı üçün uyğundur.

RF elektron cihazları (yarı izolyasiyalı): Silikon Karbid substratları yüksək keçid sürətinə və güc tolerantlığına malikdir, RF güc gücləndiriciləri, mikrodalğalı cihazlar və yüksək tezlikli açarlar kimi tətbiqlər üçün uyğundur.

Optoelektron cihazlar (yarı izolyasiyalı): Silikon karbid substratları geniş enerji boşluğuna və yüksək istilik stabilliyinə malikdir, fotodiodlar, günəş batareyaları və lazer diodları və digər cihazlar hazırlamaq üçün uyğundur.

Temperatur sensorları (keçirici): Silikon karbid substratları yüksək istilik keçiriciliyinə və istilik sabitliyinə malikdir, yüksək temperatur sensorları və temperatur ölçmə cihazlarının istehsalı üçün uyğundur.

Silikon karbid keçirici və yarı izolyasiyaedici substratların istehsal prosesi və tətbiqi geniş sahələrə və potensiala malikdir və elektron cihazların və güc cihazlarının inkişafı üçün yeni imkanlar yaradır.