150mm 200mm 6inch 8inch GaN Silikon Epi-laylı vafli Qallium nitridi epitaksial vafli

150 mm 200 mm 6 düym 8 düym GaN Silikon Epi-laylı vafli Qallium nitridi epitaksial vafli Xüsusi Şəkil

Qısa Təsvir:

6 düymlük GaN Epi-layer vafli silikon substratda yetişdirilmiş qallium nitrid (GaN) qatlarından ibarət yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici materialdır.Material əla elektron nəqliyyat xüsusiyyətlərinə malikdir və yüksək güclü və yüksək tezlikli yarımkeçirici cihazların istehsalı üçün idealdır.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

İstehsal üsulu

İstehsal prosesi, metal-üzvi kimyəvi buxar çökmə (MOCVD) və ya molekulyar şüa epitaksisi (MBE) kimi qabaqcıl üsullardan istifadə edərək, sapfir substratda GaN təbəqələrinin artırılmasını əhatə edir.Çökmə prosesi yüksək kristal keyfiyyətini və vahid filmi təmin etmək üçün nəzarət edilən şəraitdə həyata keçirilir.

6 düymlük GaN-On-Sapphire tətbiqləri: 6 düymlük sapfir substrat çipləri mikrodalğalı rabitə, radar sistemləri, simsiz texnologiya və optoelektronikada geniş istifadə olunur.

Bəzi ümumi tətbiqlər daxildir

1. Rf güc gücləndiricisi

2. LED işıqlandırma sənayesi

3. Simsiz şəbəkə rabitə avadanlığı

4. Yüksək temperatur mühitində elektron cihazlar

5. Optoelektronik cihazlar

Məhsulun spesifikasiyası

- Ölçü: Substratın diametri 6 düymdür (təxminən 150 mm).

- Səth keyfiyyəti: Səth əla güzgü keyfiyyətini təmin etmək üçün incə cilalanmışdır.

- Qalınlıq: GaN təbəqəsinin qalınlığı xüsusi tələblərə uyğun olaraq fərdiləşdirilə bilər.

- Qablaşdırma: Daşınma zamanı zədələnməməsi üçün substrat diqqətlə antistatik materiallarla qablaşdırılır.

- Yerləşdirmə kənarları: Substratın cihazın hazırlanması zamanı hizalanmasını və işləməsini asanlaşdıran xüsusi yerləşdirmə kənarları var.

- Digər parametrlər: İncəlik, müqavimət və dopinq konsentrasiyası kimi spesifik parametrlər müştəri tələblərinə uyğun olaraq tənzimlənə bilər.

Üstün material xüsusiyyətləri və müxtəlif tətbiqləri ilə 6 düymlük sapfir substrat vafliləri müxtəlif sənaye sahələrində yüksək performanslı yarımkeçirici cihazların inkişafı üçün etibarlı seçimdir.

Substrat	6” 1mm <111> p-tipli Si	6” 1mm <111> p-tipli Si
Epi QalınOrt	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Yay	+/-45 um	+/-45 um
Çatlama	<5 mm	<5 mm
Şaquli BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT QalınOrt	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
2DEG kons.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Hərəkətlilik	~2000sm²/Vs (<2%)	~2000sm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/sq (<2%)	<330ohm/sq (<2%)