2 düym Sic silisium karbid substratı 6H-N Tipi 0.33mm 0.43mm ikitərəfli cilalama Yüksək istilik keçiriciliyi aşağı enerji istehlakı

2 düym Sic silisium karbid substratı 6H-N Tip 0.33mm 0.43mm ikitərəfli cilalama Yüksək istilik keçiriciliyi aşağı enerji sərfiyyatı.

Qısa təsvir:

Silikon karbid (SiC) əla istilik keçiriciliyi və kimyəvi sabitliyə malik geniş diapazonlu yarımkeçirici materialdır. Tip 6H-N onun kristal quruluşunun altıbucaqlı (6H) olduğunu, “N” isə onun N tipli yarımkeçirici material olduğunu göstərir və adətən azotun dopinq edilməsi ilə əldə edilir.
Silikon karbid substratı yüksək təzyiqə davamlılıq, yüksək temperatur müqaviməti, yüksək tezlikli performans və s. əla xüsusiyyətlərə malikdir. Silikon məhsullarla müqayisədə, silikon substrat tərəfindən hazırlanan cihaz itkini 80% azalda və cihazın ölçüsünü 90% azalda bilər. Yeni enerji vasitələri baxımından, silisium karbid yeni enerji vasitələrinə yüngül çəki əldə etməyə və itkiləri azaltmağa və sürüş məsafəsini artırmağa kömək edə bilər; 5G rabitəsi sahəsində müvafiq avadanlıqların istehsalı üçün istifadə edilə bilər; Fotovoltaik enerji istehsalında dönüşüm səmərəliliyini artıra bilər; Dəmir yolu tranziti sahəsi yüksək temperatur və yüksək təzyiqə davamlılıq xüsusiyyətlərindən istifadə edə bilər.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Aşağıdakılar 2 düymlük silisium karbid vaflisinin xüsusiyyətləridir

1. Sərtlik: Mohs sərtliyi təxminən 9,2-dir.
2. Kristal quruluş: altıbucaqlı qəfəs quruluşu.
3. Yüksək istilik keçiriciliyi: SiC-nin istilik keçiriciliyi, effektiv istilik yayılması üçün əlverişli olan silikondan çox yüksəkdir.
4. Geniş zolaq boşluğu: SiC-nin bant boşluğu təxminən 3.3eV-dir, yüksək temperatur, yüksək tezlik və yüksək güc tətbiqləri üçün uyğundur.
5. Dağılma elektrik sahəsi və elektron hərəkətliliyi: MOSFET və IGBT kimi səmərəli enerji elektron cihazları üçün uyğun olan yüksək parçalanma elektrik sahəsi və elektron hərəkətliliyi.
6. Kimyəvi sabitlik və radiasiya müqaviməti: aerokosmik və milli müdafiə kimi sərt mühitlər üçün uyğundur. Əla kimyəvi müqavimət, turşu, qələvi və digər kimyəvi həlledicilər.
7. Yüksək mexaniki möhkəmlik: Yüksək temperatur və yüksək təzyiq mühitində əla mexaniki güc.
O, ultrabənövşəyi fotodetektorlar, fotovoltaik çeviricilər, elektrik nəqliyyat vasitələrinin PCU-ları və s. kimi yüksək güclü, yüksək tezlikli və yüksək temperaturlu elektron avadanlıqlarda geniş istifadə edilə bilər.

2 düymlük silisium karbid vaflisinin bir neçə tətbiqi var.

1.Power elektron cihazları: yüksək effektiv gücə malik MOSFET, IGBT və digər cihazların istehsalı üçün istifadə olunur, gücün dəyişdirilməsi və elektrik vasitələrində geniş istifadə olunur.

2.Rf cihazları: Rabitə avadanlıqlarında SiC yüksək tezlikli gücləndiricilərdə və RF güc gücləndiricilərində istifadə edilə bilər.

3.Fotoelektrik cihazlar: SIC əsaslı ledlər kimi, xüsusilə mavi və ultrabənövşəyi tətbiqlərdə.

4.Sensors: Yüksək temperatur və kimyəvi müqavimətinə görə, SiC substratları yüksək temperatur sensorları və digər sensor tətbiqləri istehsal etmək üçün istifadə edilə bilər.

5.Hərbi və aerokosmik: yüksək temperatur müqaviməti və yüksək möhkəmlik xüsusiyyətlərinə görə, ekstremal mühitlərdə istifadə üçün uyğundur.

6H-N tip 2 "SIC substratının əsas tətbiq sahələrinə yeni enerji vasitələri, yüksək gərginlikli ötürmə və transformasiya stansiyaları, ağ əşyalar, yüksək sürətli qatarlar, mühərriklər, fotovoltaik çevirici, impuls enerji təchizatı və s. daxildir.

XKH müştərilərin tələblərinə uyğun olaraq müxtəlif qalınlıqlarda düzəldilə bilər. Müxtəlif səth pürüzlülük və cilalama prosedurları mövcuddur. Müxtəlif növ dopinqlər (məsələn, azot dopinqi) dəstəklənir. Standart çatdırılma müddəti fərdiləşdirmədən asılı olaraq 2-4 həftədir. Substratın təhlükəsizliyini təmin etmək üçün antistatik qablaşdırma materiallarından və antiseysmik köpükdən istifadə edin. Müxtəlif göndərmə variantları mövcuddur və müştərilər göstərilən izləmə nömrəsi vasitəsilə real vaxt rejimində logistikanın vəziyyətini yoxlaya bilərlər. Müştərilərin istifadə prosesində problemləri həll edə bilməsini təmin etmək üçün texniki dəstək və məsləhət xidmətləri göstərin.