2 düymlük Sic silikon karbid substratı 6H-N Tip 0.33mm 0.43mm iki tərəfli cilalama Yüksək istilik keçiriciliyi aşağı enerji istehlakı

Qısa Təsvir:

Silisium karbid (SiC) əla istilik keçiriciliyinə və kimyəvi stabilliyə malik genişzolaqlı yarımkeçirici materialdır. Növü6H-Nkristal quruluşunun altıbucaqlı (6H) olduğunu, “N” isə adətən azotla aşqarlamaqla əldə edilən N tipli yarımkeçirici material olduğunu göstərir.
Silikon karbid substratı yüksək təzyiq müqaviməti, yüksək temperatur müqaviməti, yüksək tezlikli performans və s. kimi əla xüsusiyyətlərə malikdir. Silikon məhsulları ilə müqayisədə, silikon substratla hazırlanmış cihaz itkini 80% azalda və cihazın ölçüsünü 90% azalda bilər. Yeni enerji nəqliyyat vasitələri baxımından, silikon karbid yeni enerji nəqliyyat vasitələrinin yüngül çəki əldə etməsinə və itkiləri azaltmasına, eləcə də sürmə məsafəsini artırmasına kömək edə bilər; 5G rabitəsi sahəsində əlaqəli avadanlıqların istehsalı üçün istifadə edilə bilər; Fotovoltaik enerji istehsalında çevrilmə səmərəliliyini artıra bilər; Dəmir yolu tranziti sahəsində yüksək temperatur və yüksək təzyiq müqavimət xüsusiyyətlərindən istifadə edilə bilər.

Bizə e-poçt göndərin

Xüsusiyyətlər

Aşağıdakılar 2 düymlük silikon karbid lövhəsinin xüsusiyyətləridir

1. Sərtlik: Mohs sərtliyi təxminən 9.2-dir.
2. Kristal quruluşu: altıbucaqlı qəfəs quruluşu.
3. Yüksək istilik keçiriciliyi: SiC-nin istilik keçiriciliyi silikondan daha yüksəkdir ki, bu da effektiv istilik yayılmasına kömək edir.
4. Geniş zolaq boşluğu: SiC-nin zolaq boşluğu təxminən 3.3 eV-dir, yüksək temperatur, yüksək tezlikli və yüksək güc tətbiqləri üçün uyğundur.
5. Elektrik sahəsinin parçalanması və elektron hərəkətliliyi: Yüksək parçalanma elektrik sahəsi və elektron hərəkətliliyi, MOSFET və IGBT kimi səmərəli güclü elektron cihazlar üçün uyğundur.
6. Kimyəvi stabillik və radiasiyaya davamlılıq: aerokosmik və milli müdafiə kimi sərt mühitlər üçün uyğundur. Əla kimyəvi müqavimət, turşu, qələvi və digər kimyəvi həlledicilərə qarşı.
7. Yüksək mexaniki möhkəmlik: Yüksək temperatur və yüksək təzyiq mühitində əla mexaniki möhkəmlik.
Ultrabənövşəyi fotodetektorlar, fotovoltaik invertorlar, elektrikli nəqliyyat vasitələrinin PCU-ları və s. kimi yüksək güclü, yüksək tezlikli və yüksək temperaturlu elektron avadanlıqlarda geniş istifadə edilə bilər.

2 düymlük silikon karbid lövhəsinin bir neçə tətbiqi var.

1. Güclü elektron cihazlar: yüksək səmərəlilikli MOSFET, IGBT və digər cihazların istehsalı üçün istifadə olunur, güc çevirməsində və elektrikli nəqliyyat vasitələrində geniş istifadə olunur.

2.Rf cihazları: Rabitə avadanlıqlarında SiC yüksək tezlikli gücləndiricilərdə və RF güc gücləndiricilərində istifadə edilə bilər.

3. Fotoelektrik cihazlar: məsələn, SIC əsaslı LED-lər, xüsusən də mavi və ultrabənövşəyi tətbiqlərdə.

4. Sensorlar: Yüksək temperatur və kimyəvi müqavimətinə görə, SiC substratları yüksək temperatur sensorları və digər sensor tətbiqləri istehsalında istifadə edilə bilər.

5. Hərbi və aerokosmik: yüksək temperatur müqaviməti və yüksək möhkəmlik xüsusiyyətlərinə görə ekstremal mühitlərdə istifadə üçün uyğundur.

6H-N tip 2 "SIC substratının əsas tətbiq sahələrinə yeni enerji nəqliyyat vasitələri, yüksək gərginlikli ötürmə və transformasiya stansiyaları, ağ mallar, yüksək sürətli qatarlar, mühərriklər, fotovoltaik inverter, impuls enerji təchizatı və s. daxildir.

XKH müştəri tələblərinə uyğun olaraq müxtəlif qalınlıqlarda fərdiləşdirilə bilər. Müxtəlif səth pürüzlülüyü və cilalama müalicələri mövcuddur. Müxtəlif növ aşqarlama (məsələn, azot aşqarlanması) dəstəklənir. Standart çatdırılma müddəti fərdiləşdirmədən asılı olaraq 2-4 həftədir. Substratın təhlükəsizliyini təmin etmək üçün antistatik qablaşdırma materiallarından və seysmik köpükdən istifadə edin. Müxtəlif çatdırılma variantları mövcuddur və müştərilər təqdim olunan izləmə nömrəsi vasitəsilə logistika vəziyyətini real vaxt rejimində yoxlaya bilərlər. Müştərilərin istifadə prosesindəki problemləri həll edə bilməsi üçün texniki dəstək və məsləhət xidmətləri təmin edin.