2 düymlük Silikon Karbid Vaferi 6H-N Tipli Əsas Dərs Tədqiqat Dərsli Kulon Dərs 330μm 430μm Qalınlıq

2 düymlük Silikon Karbid Vaferi 6H-N Tipli Əsas Dərəcəli Tədqiqat Dərəcəli Kulon Dərəci 330μm 430μm Qalınlıq Seçilmiş Şəkil

Qısa Təsvir:

Silisium karbidin bir çox müxtəlif polimorfları var və 6H silisium karbidi təxminən 200 polimorfdan biridir. 6H silisium karbidi, kommersiya məqsədləri üçün ən çox rast gəlinən silikon karbid modifikasiyasıdır. 6H silisium karbid lövhələri çox vacibdir. Onlar yarımkeçiricilər kimi istifadə edilə bilər. Davamlılığı və materialın aşağı qiymətinə görə kəsici disklər kimi aşındırıcı və kəsici alətlərdə geniş istifadə olunur. Müasir kompozit bədən zirehlərində və güllə keçirməyən jiletlərdə istifadə olunur. Həmçinin əyləc disklərinin istehsalı üçün istifadə edildiyi avtomobil sənayesində də istifadə olunur. Böyük tökmə tətbiqlərində əriyən metalları çuxurlarda saxlamaq üçün istifadə olunur. Elektrik və elektron tətbiqlərdə istifadəsi o qədər yaxşı məlumdur ki, heç bir müzakirə tələb etmir. Bundan əlavə, o, güc elektron cihazlarında, LED-lərdə, astronomiyada, nazik filament pirometriyasında, zərgərlikdə, qrafen və polad istehsalında və katalizator kimi istifadə olunur. Biz fərqli keyfiyyətə və heyrətamiz 99.99% -ə malik 6H silisium karbid lövhələri təklif edirik.

Bizə e-poçt göndərin

Xüsusiyyətlər

Silikon karbid lövhəsinin xüsusiyyətləri aşağıdakılardır:

1. Silisium karbid (SiC) lövhəsi əla elektrik xüsusiyyətlərinə və əla istilik xüsusiyyətlərinə malikdir. Silisium karbid (SiC) lövhəsi aşağı istilik genişlənməsinə malikdir.

2. Silisium karbid (SiC) lövhəsi üstün sərtlik xüsusiyyətlərinə malikdir. Silisium karbid (SiC) lövhəsi yüksək temperaturlarda yaxşı işləyir.

3. Silisium karbid (SiC) lövhəsi korroziyaya, eroziyaya və oksidləşməyə qarşı yüksək müqavimətə malikdir. Bundan əlavə, silisium karbid (SiC) lövhəsi həm almaz, həm də kub sirkondan daha parlaqdır.

4. Daha yaxşı radiasiya müqaviməti: SIC lövhələri daha güclü radiasiya müqavimətinə malikdir və bu da onları radiasiya mühitlərində istifadə üçün uyğun edir. Nümunələrə kosmik gəmilər və nüvə qurğuları daxildir.
5. Daha yüksək sərtlik: SIC lövhələri silikondan daha sərtdir, bu da emal zamanı lövhələrin davamlılığını artırır.

6. Aşağı dielektrik sabiti: SIC lövhələrinin dielektrik sabiti silikondan daha aşağıdır ki, bu da cihazdakı parazit tutumunu azaltmağa və yüksək tezlikli performansı yaxşılaşdırmağa kömək edir.

Silikon karbid lövhəsinin bir neçə tətbiqi var

SiC, diodlar, güc tranzistorları və yüksək güclü mikrodalğalı cihazlar kimi çox yüksək gərginlikli və yüksək güclü cihazların istehsalı üçün istifadə olunur. Ənənəvi Si-cihazlarla müqayisədə SiC əsaslı güc cihazları daha sürətli keçid sürətinə, daha yüksək gərginliklərə, daha aşağı parazit müqavimətlərinə, daha kiçik ölçüyə və yüksək temperatur qabiliyyətinə görə daha az soyutma tələbinə malikdir.
Silisium karbid (SiC-6H) - 6H lövhəsi üstün elektron xüsusiyyətlərə malik olsa da, silisium karbid (SiC-6H) - 6H lövhəsi ən asan hazırlanır və ən yaxşı öyrənilir.
1. Güc Elektronikası: Silikon Karbid lövhələri elektrik nəqliyyat vasitələri, bərpa olunan enerji sistemləri və sənaye avadanlıqları da daxil olmaqla geniş tətbiq sahələrində istifadə olunan Güc Elektronikasının istehsalında istifadə olunur. Silikon Karbidin yüksək istilik keçiriciliyi və aşağı enerji itkisi onu bu tətbiqlər üçün ideal bir material halına gətirir.
2. LED İşıqlandırma: Silikon Karbid lövhələri LED işıqlandırma istehsalında istifadə olunur. Silikon Karbidin yüksək möhkəmliyi ənənəvi işıqlandırma mənbələrindən daha davamlı və uzunömürlü LED-lər istehsal etməyə imkan verir.
3. Yarımkeçirici Cihazlar: Silikon Karbid lövhələri telekommunikasiya, hesablama və istehlakçı elektronikası da daxil olmaqla geniş tətbiq sahələrində istifadə olunan Yarımkeçirici Cihazların istehsalında istifadə olunur. Silikon Karbidin yüksək istilik keçiriciliyi və aşağı enerji itkisi onu bu tətbiqlər üçün ideal bir material halına gətirir.
4. Günəş batareyaları: Silikon karbid lövhələri Günəş batareyalarının istehsalında istifadə olunur. Silikon karbidin yüksək möhkəmliyi ənənəvi Günəş batareyalarından daha davamlı və uzunömürlü Günəş batareyaları istehsal etməyə imkan verir.
Ümumilikdə, ZMSH Silikon Karbid Plitəsi geniş tətbiq sahələrində istifadə edilə bilən çox yönlü və yüksək keyfiyyətli bir məhsuldur. Yüksək istilik keçiriciliyi, aşağı güc itkisi və yüksək möhkəmliyi onu yüksək temperaturlu və yüksək güclü elektron cihazlar üçün ideal bir material halına gətirir. ≤50 um əyrilik/əyilmə, ≤1.2 nm səth kobudluğu və yüksək/aşağı müqavimət müqaviməti ilə Silikon Karbid Plitəsi düz və hamar bir səth tələb edən istənilən tətbiq üçün etibarlı və səmərəli seçimdir.
SiC Substrat məhsulumuz optimal performans və müştəri məmnuniyyətini təmin etmək üçün hərtərəfli texniki dəstək və xidmətlərlə təchiz olunub.
Mütəxəssislər komandamız məhsul seçimi, quraşdırılması və problemlərin aradan qaldırılmasında sizə kömək etmək üçün mövcuddur.
Müştərilərimizə investisiyalarını maksimum dərəcədə artırmağa kömək etmək üçün məhsullarımızın istifadəsi və texniki xidməti ilə bağlı təlim və təhsil təklif edirik.
Bundan əlavə, müştərilərimizin həmişə ən son texnologiyaya çıxışını təmin etmək üçün davamlı məhsul yeniləmələri və təkmilləşdirmələri təqdim edirik.