3 düym 76,2 mm 4H-Yarı SiC substratlı vafli Silikon Karbid Yarı təhqiredici SiC vafli

Qısa Təsvir:

Elektron və optoelektron sənayesi üçün yüksək keyfiyyətli tək kristal SiC vafli (Silicon Carbide).3 düymlük SiC vaflisi növbəti nəsil yarımkeçirici materialdır, 3 düym diametrli yarı izolyasiya edən silisium-karbid vaflilərdir.Vaflilər güc, RF və optoelektronika cihazlarının istehsalı üçün nəzərdə tutulub.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Məhsulun spesifikasiyası

3 düymlük 4H yarı izolyasiya edilmiş SiC (silikon karbid) substrat vafliləri çox istifadə edilən yarımkeçirici materialdır.4H tetraheksahedral kristal quruluşu göstərir.Yarım izolyasiya, substratın yüksək müqavimət xüsusiyyətlərinə malik olduğunu və cərəyan axınından bir qədər təcrid oluna biləcəyini bildirir.

Belə substrat vafliləri aşağıdakı xüsusiyyətlərə malikdir: yüksək istilik keçiriciliyi, aşağı keçiricilik itkisi, əla yüksək temperatur müqaviməti və əla mexaniki və kimyəvi sabitlik.Silikon karbid geniş enerji boşluğuna malik olduğundan və yüksək temperaturlara və yüksək elektrik sahəsi şəraitinə tab gətirə bildiyinə görə, 4H-SiC yarımizolyasiyalı vaflilər güc elektronikası və radiotezlik (RF) cihazlarında geniş istifadə olunur.

4H-SiC yarı izolyasiya edilmiş vaflilərin əsas tətbiqlərinə aşağıdakılar daxildir:

1--Güc elektronikası: 4H-SiC vafliləri MOSFET (Metal Oksid Yarımkeçirici Sahə Təsirli Transistorlar), IGBT (İzolyasiya edilmiş Qapı Bipolyar Transistorlar) və Schottky diodları kimi güc keçid cihazlarının istehsalı üçün istifadə edilə bilər.Bu cihazlar yüksək gərginlik və yüksək temperatur mühitlərində daha az keçiricilik və keçid itkilərinə malikdir və daha yüksək səmərəlilik və etibarlılıq təklif edir.

2--Radio Tezliyi (RF) Cihazları: 4H-SiC yarımizolyasiya edilmiş vaflilər yüksək güclü, yüksək tezlikli RF güc gücləndiriciləri, çip rezistorları, filtrlər və digər cihazların istehsalı üçün istifadə edilə bilər.Silikon karbid daha böyük elektron doyma sürəti və daha yüksək istilik keçiriciliyi səbəbindən daha yaxşı yüksək tezlikli performansa və istilik sabitliyinə malikdir.

3--Optoelektronik cihazlar: 4H-SiC yarımizolyasiya edilmiş vaflilər yüksək güclü lazer diodları, UV işıq detektorları və optoelektronik inteqral sxemlərin istehsalı üçün istifadə edilə bilər.

Bazar istiqaməti baxımından, 4H-SiC yarı izolyasiyalı vaflilərə tələbat güc elektronikası, RF və optoelektronika sahələrinin artması ilə artır.Bu, silikon karbidin enerji səmərəliliyi, elektrik nəqliyyat vasitələri, bərpa olunan enerji və kommunikasiyalar da daxil olmaqla geniş tətbiq sahəsinə malik olması ilə bağlıdır.Gələcəkdə 4H-SiC yarı izolyasiyalı vaflilər bazarı çox perspektivli olaraq qalır və müxtəlif tətbiqlərdə adi silikon materialları əvəz edəcəyi gözlənilir.