4H-yarı HPSI 2inch SiC substrat vafli İstehsal Dummy Tədqiqat dərəcəsi

Silisium karbid substratı əsasən keçirici və yarı izolyasiya edən tipə bölünür, keçirici silisium karbid substratdan n tipli substrata əsasən epitaksial GaN əsaslı LED və digər optoelektronik cihazlar, SiC əsaslı güc elektron cihazları və s. izolyasiya edən SiC silisium karbid substratı əsasən GaN yüksək güclü radiotezlik cihazlarının epitaksial istehsalı üçün istifadə olunur.Bundan əlavə yüksək təmizlik yarı izolyasiya HPSI və SI yarımizolyasiya fərqlidir, yüksək təmizlikli yarı izolyasiya daşıyıcı konsentrasiyası 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/sm3 diapazonu, yüksək elektron hərəkətliliyi ilə;yarıizolyasiya yüksək müqavimətli materiallardır, müqaviməti çox yüksəkdir, ümumiyyətlə mikrodalğalı cihaz substratları üçün istifadə olunur, keçirici deyil.

Yarı izolyasiya edən Silikon Karbid substrat təbəqəsi SiC vafli

SiC kristal quruluşu onun fiziki xüsusiyyətlərini, Si və GaAs-a nisbətən müəyyən edir, SiC fiziki xassələrə malikdir;cihazın uzunmüddətli etibarlılıq altında yüksək temperaturda işləməsini təmin etmək üçün qadağan edilmiş bant genişliyi böyükdür, Si-dən 3 dəfəyə yaxındır;qırılma sahəsinin gücü yüksəkdir, cihazın gərginlik qabiliyyətini təmin etmək, cihazın gərginlik dəyərini yaxşılaşdırmaq üçün Si-dən 1O dəfə çoxdur;doyma elektron dərəcəsi böyükdür, cihazın tezliyini və güc sıxlığını artırmaq üçün Si-dən 2 dəfə çoxdur;istilik keçiriciliyi yüksəkdir, Si-dən çox, istilik keçiriciliyi yüksəkdir, istilik keçiriciliyi yüksəkdir, istilik keçiriciliyi yüksəkdir, istilik keçiriciliyi yüksəkdir, istilik keçiriciliyi yüksəkdir, Si-dən çoxdur, istilik keçiriciliyi yüksəkdir, istilik keçiriciliyi yüksəkdir.Yüksək istilik keçiriciliyi, Si-dən 3 dəfə çox, cihazın istilik yayma qabiliyyətini artırır və cihazın miniatürləşdirilməsini həyata keçirir.