Hal-hazırda şirkətimiz 8inchN tipli SiC vaflilərinin kiçik partiyasını tədarük etməyə davam edə bilər, əgər nümunə ehtiyacınız varsa, zəhmət olmasa mənimlə əlaqə saxlayın.Göndərməyə hazır bir neçə nümunə vaflilərimiz var.
Yarımkeçirici materiallar sahəsində şirkət böyük ölçülü SiC kristallarının tədqiqi və inkişafında böyük bir irəliləyiş əldə etdi.Diametri bir neçə dəfə böyütdükdən sonra öz toxum kristallarından istifadə edərək, şirkət 8 düymlük N-tipli SiC kristallarını uğurla yetişdirdi ki, bu da qeyri-bərabər temperatur sahəsi, kristal krekinq və qaz fazasının xammalın böyüməsi prosesində paylanması kimi çətin problemləri həll edir. 8 düymlük SIC kristalları və böyük ölçülü SIC kristallarının böyüməsini və avtonom və idarə olunan emal texnologiyasını sürətləndirir.SiC monokristal substrat sənayesində şirkətin əsas rəqabət qabiliyyətini əhəmiyyətli dərəcədə artırır.Eyni zamanda, şirkət böyük ölçülü silisium karbid substratının hazırlanması eksperimental xəttinin texnologiyası və prosesinin yığılmasını fəal şəkildə təşviq edir, yuxarı və aşağı axın sahələrində texniki mübadilə və sənaye əməkdaşlığı gücləndirir və məhsulun performansını daim təkrarlamaq üçün müştərilərlə əməkdaşlıq edir və birgə silisium karbid materiallarının sənaye tətbiqi sürətini təşviq edir.
| 8 düym N-tipli SiC DSP Xüsusiyyətləri | |||||
| Nömrə | Maddə | Vahid | İstehsal | Araşdırma | dummy |
| 1. Parametrlər | |||||
| 1.1 | politip | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | səth oriyentasiyası | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektrik parametri | |||||
| 2.1 | dopant | -- | n-tipli azot | n-tipli azot | n-tipli azot |
| 2.2 | müqavimət | ohm · sm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mexaniki parametr | |||||
| 3.1 | Diametr | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | qalınlığı | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Çentik oriyentasiyası | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kəsik Dərinliyi | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Yay | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Çarpma | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Quruluş | |||||
| 4.1 | mikroborunun sıxlığı | e/sm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal tərkibi | atomlar/sm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | e/sm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | e/sm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | e/sm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Müsbət keyfiyyət | |||||
| 5.1 | ön | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | səthi bitirmə | -- | Si-üzlü CMP | Si-üzlü CMP | Si-üzlü CMP |
| 5.3 | hissəcik | ea / gofret | ≤100(ölçü≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | cızıq | ea / gofret | ≤5,Ümumi Uzunluq≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Kənar çiplər / girintilər / çatlar / ləkələr / çirklənmə | -- | Heç biri | Heç biri | NA |
| 5.6 | Politip sahələr | -- | Heç biri | Sahə ≤10% | Sahə ≤30% |
| 5.7 | ön işarələmə | -- | Heç biri | Heç biri | Heç biri |
| 6. Arxa keyfiyyət | |||||
| 6.1 | arxa finiş | -- | C üzlü deputat | C üzlü deputat | C üzlü deputat |
| 6.2 | cızıq | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Arxa qüsurların kənarı çiplər / girintilər | -- | Heç biri | Heç biri | NA |
| 6.4 | Arxa pürüzlülük | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Geri işarələmə | -- | çentik | çentik | çentik |
| 7. Kənar | |||||
| 7.1 | kənar | -- | pax | pax | pax |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | qablaşdırma | -- | Vakuum ilə epi-hazır qablaşdırma | Vakuum ilə epi-hazır qablaşdırma | Vakuum ilə epi-hazır qablaşdırma |
| 8.2 | qablaşdırma | -- | Çox vafli kaset qablaşdırması | Çox vafli kaset qablaşdırması | Çox vafli kaset qablaşdırması |
Göndərmə vaxtı: 18 aprel 2023-cü il