26-da Power Cube Semi Cənubi Koreyanın ilk 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET yarımkeçiricinin uğurlu inkişafını elan etdi.
Mövcud Si (Silikon) əsaslı yarımkeçiricilərlə müqayisədə, SiC (Silikon Karbid) daha yüksək gərginliyə tab gətirə bilir, buna görə də enerji yarımkeçiricilərinin gələcəyinə rəhbərlik edən yeni nəsil cihaz kimi qəbul edilir.Bu, elektrik nəqliyyat vasitələrinin yayılması və süni intellekt tərəfindən idarə olunan məlumat mərkəzlərinin genişləndirilməsi kimi qabaqcıl texnologiyaların tətbiqi üçün tələb olunan mühüm komponent kimi xidmət edir.
Power Cube Semi üç əsas kateqoriyada güc yarımkeçirici cihazlarını inkişaf etdirən inanılmaz bir şirkətdir: SiC (Silikon Karbid), Si (Silikon) və Ga2O3 (Qallium Oksidi).Bu yaxınlarda şirkət yüksək tutumlu Schottky Bariyer Diodlarını (SBD) Çindəki qlobal elektrik avtomobil şirkətinə tətbiq edib sataraq, yarımkeçirici dizaynı və texnologiyası ilə tanınıb.
2300V SiC MOSFET-in buraxılışı Cənubi Koreyada ilk belə inkişaf hadisəsi kimi diqqətəlayiqdir.Almaniyada yerləşən qlobal enerji yarımkeçirici şirkəti olan Infineon da mart ayında 2000V məhsulunun satışa çıxarıldığını, lakin 2300V məhsul sırası olmadan elan etdi.
TO-247PLUS-4-HCC paketindən istifadə edən Infineon-un 2000V CoolSiC MOSFET, hətta sərt yüksək gərginlik və keçid tezliyi şəraitində sistemin etibarlılığını təmin edərək, dizaynerlər arasında artan enerji sıxlığına olan tələbi ödəyir.
CoolSiC MOSFET, cərəyanı artırmadan gücü artırmağa imkan verən daha yüksək birbaşa cərəyan keçid gərginliyi təklif edir.Bu, 14 mm sürüşmə məsafəsi və 5,4 mm boşluq olan TO-247PLUS-4-HCC paketindən istifadə edərək, 2000V qırılma gərginliyi ilə bazarda ilk diskret silisium karbid cihazıdır.Bu cihazlar aşağı keçid itkilərinə malikdir və günəş simli çeviriciləri, enerji saxlama sistemləri və elektrik avtomobillərinin doldurulması kimi tətbiqlər üçün uyğundur.
CoolSiC MOSFET 2000V məhsul seriyası 1500V DC-ə qədər yüksək gərginlikli DC avtobus sistemləri üçün uyğundur.1700V SiC MOSFET ilə müqayisədə bu cihaz 1500V DC sistemləri üçün kifayət qədər həddindən artıq gərginlik marjası təmin edir.CoolSiC MOSFET 4.5V eşik gərginliyi təklif edir və sərt kommutasiya üçün möhkəm gövdə diodları ilə təchiz edilir..XT əlaqə texnologiyası ilə bu komponentlər əla istilik performansı və güclü rütubət müqaviməti təklif edir.
2000V CoolSiC MOSFET-ə əlavə olaraq, Infineon tezliklə 2024-cü ilin üçüncü rübündə və 2024-cü ilin son rübündə müvafiq olaraq TO-247PLUS 4-pin və TO-247-2 paketlərində qablaşdırılan tamamlayıcı CoolSiC diodlarını işə salacaq.Bu diodlar xüsusilə günəş enerjisi tətbiqləri üçün uygundur.Uyğun qapı sürücüsü məhsul kombinasiyaları da mövcuddur.
CoolSiC MOSFET 2000V məhsul seriyası artıq bazarda mövcuddur.Bundan əlavə, Infineon uyğun qiymətləndirmə lövhələri təklif edir: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Tərtibatçılar bu lövhədən 2000V gücündə qiymətləndirilən bütün CoolSiC MOSFET və diodlarını, həmçinin ikili impuls və ya davamlı PWM əməliyyatı vasitəsilə EiceDRIVER kompakt tək kanallı izolyasiya qapısı sürücüsü 1ED31xx məhsul seriyasını qiymətləndirmək üçün dəqiq ümumi sınaq platforması kimi istifadə edə bilərlər.
Qung Shin-soo, Power Cube Semi-nin Baş Texnologiya Direktoru, "Biz 1700V SiC MOSFET-lərin inkişafı və kütləvi istehsalı sahəsində mövcud təcrübəmizi 2300V-ə qədər genişləndirə bildik.
Göndərmə vaxtı: 08 aprel 2024-cü il