Silikon karbid cihazları ilə müqayisədə, qallium nitridli güc cihazları, eyni zamanda səmərəlilik, tezlik, həcm və digər hərtərəfli aspektlərin tələb olunduğu ssenarilərdə daha çox üstünlüklərə sahib olacaq, məsələn, qallium nitrid əsaslı cihazların sürətli şarj sahəsində uğurla tətbiq edildiyi. böyük miqyasda.Yeni aşağı axın tətbiqlərinin ortaya çıxması və qalium nitrid substratının hazırlanması texnologiyasının davamlı inkişafı ilə GaN cihazlarının həcminin artmağa davam edəcəyi və xərclərin azaldılması və səmərəliliyi, davamlı yaşıl inkişaf üçün əsas texnologiyalardan birinə çevriləcəyi gözlənilir.
Hal-hazırda, yarımkeçirici materialların üçüncü nəsli strateji inkişaf etməkdə olan sənayelərin mühüm hissəsinə çevrilmişdir və eyni zamanda informasiya texnologiyaları, enerjiyə qənaət və emissiyaların azaldılması və milli müdafiə təhlükəsizliyi texnologiyasının növbəti nəslini ələ keçirmək üçün strateji əmr nöqtəsinə çevrilir.Onların arasında qallium nitridi (GaN) 3,4eV bant aralığına malik geniş diapazonlu yarımkeçirici material kimi üçüncü nəsil yarımkeçirici materialların ən çox nümayiş etdirdiyi materiallardan biridir.
İyulun 3-də Çin qallium və germaniumla əlaqəli məhsulların ixracını sərtləşdirdi ki, bu da nadir metal olan qalliumun "yarımkeçirici sənayenin yeni taxılı" kimi vacib atributuna və onun geniş tətbiqi üstünlüklərinə əsaslanan mühüm siyasət tənzimlənməsidir. yarımkeçirici materiallar, yeni enerji və digər sahələr.Bu siyasət dəyişikliyini nəzərə alaraq, bu məqalədə qallium nitridi hazırlıq texnologiyası və çətinlikləri, gələcəkdə yeni artım nöqtələri və rəqabət nümunəsi aspektlərindən müzakirə edəcək və təhlil edəcəkdir.
Qısa giriş:
Qallium nitridi üçüncü nəsil yarımkeçirici materialların tipik nümayəndəsi olan bir növ sintetik yarımkeçirici materialdır.Ənənəvi silisium materialları ilə müqayisədə qalium nitridi (GaN) böyük bant boşluğu, güclü parçalanma elektrik sahəsi, aşağı müqavimət, yüksək elektron hərəkətliliyi, yüksək konversiya səmərəliliyi, yüksək istilik keçiriciliyi və aşağı itki kimi üstünlüklərə malikdir.
Qallium nitridi monokristal rabitə, radar, məişət elektronikası, avtomobil elektronikası, enerji enerjisi, sənaye lazer emalı, cihazqayırma və digər sahələrdə geniş istifadə oluna bilən əla performansa malik yeni nəsil yarımkeçirici materialdır, buna görə də onun inkişafı və kütləvi istehsalı dünya ölkələrinin və sənaye sahələrinin diqqət mərkəzindədir.
GaN tətbiqi
1--5G rabitə baza stansiyası
Simsiz rabitə infrastrukturu qallium nitridli RF cihazlarının əsas tətbiq sahəsidir və 50% təşkil edir.
2--Yüksək enerji təchizatı
GaN-in "ikiqat hündürlük" xüsusiyyəti sürətli doldurma və şarjdan qorunma ssenarilərinin tələblərinə cavab verə bilən yüksək performanslı istehlakçı elektron cihazlarında böyük nüfuz potensialına malikdir.
3--Yeni enerji vasitəsi
Praktik tətbiq baxımından, avtomobildəki hazırkı üçüncü nəsil yarımkeçirici qurğular əsasən silikon karbid cihazlarıdır, lakin güc cihazı modullarının avtomobil tənzimlənməsi sertifikatından və ya digər uyğun qablaşdırma üsullarından keçə bilən uyğun qalium nitrid materialları var. hələ də bütün zavod və OEM istehsalçıları tərəfindən qəbul edilir.
4--Məlumat mərkəzi
GaN enerji yarımkeçiriciləri əsasən məlumat mərkəzlərində PSU enerji təchizatı bölmələrində istifadə olunur.
Xülasə, yeni aşağı axın tətbiqlərinin başlanması və qalium nitrid substratının hazırlanması texnologiyasında davamlı irəliləyişlər ilə GaN cihazlarının həcminin artmağa davam edəcəyi və xərclərin azaldılması və səmərəliliyi və davamlı yaşıl inkişaf üçün əsas texnologiyalardan birinə çevriləcəyi gözlənilir.
Göndərmə vaxtı: 27 iyul 2023-cü il