SiC vafliləri silisium karbidindən hazırlanmış yarımkeçiricilərdir.Bu material 1893-cü ildə hazırlanmışdır və müxtəlif tətbiqlər üçün idealdır.Xüsusilə Schottky diodları, qovşaq maneə Schottky diodları, açarları və metal-oksid-yarımkeçirici sahə effektli tranzistorlar üçün uyğundur.Yüksək sərtliyinə görə güc elektron komponentləri üçün əla seçimdir.
Hal-hazırda, SiC vaflilərinin iki əsas növü var.Birincisi, tək silisium karbid vafli olan cilalanmış vaflidir.Yüksək saflıqda SiC kristallarından hazırlanmışdır və diametri 100 mm və ya 150 mm ola bilər.Yüksək güclü elektron cihazlarda istifadə olunur.İkinci növ epitaksial kristal silisium karbid vaflisidir.Bu tip vafli səthə bir qat silisium karbid kristallarının əlavə edilməsi ilə hazırlanır.Bu üsul materialın qalınlığına dəqiq nəzarət tələb edir və N tipli epitaksiya kimi tanınır.
Növbəti növ beta silisium karbiddir.Beta SiC 1700 dərəcədən yuxarı temperaturda istehsal olunur.Alfa karbidləri ən çox yayılmışdır və vurtzitə bənzər altıbucaqlı kristal quruluşa malikdir.Beta forması almaza bənzəyir və bəzi tətbiqlərdə istifadə olunur.O, həmişə elektrikli nəqliyyat vasitəsi ilə işləyən yarımfabrikatlar üçün ilk seçim olmuşdur.Bir neçə üçüncü tərəf silisium karbid vafli təchizatçıları hazırda bu yeni material üzərində işləyirlər.
ZMSH SiC vafliləri çox məşhur yarımkeçirici materiallardır.Bu, bir çox tətbiq üçün yaxşı uyğun olan yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici materialdır.ZMSH silisium karbid vafliləri müxtəlif elektron cihazlar üçün çox faydalı materialdır.ZMSH geniş çeşiddə yüksək keyfiyyətli SiC vafliləri və substratları təmin edir.Onlar N tipli və yarı izolyasiyalı formalarda mövcuddur.
2---Silikon Karbid: Vaflilərin yeni dövrünə doğru
Silikon karbidin fiziki xassələri və xüsusiyyətləri
Silikon karbid, almaza bənzər altıbucaqlı sıx yığılmış quruluşdan istifadə edərək xüsusi bir kristal quruluşa malikdir.Bu quruluş silisium karbidin əla istilik keçiriciliyinə və yüksək temperatur müqavimətinə malik olmasına imkan verir.Ənənəvi silisium materialları ilə müqayisədə, silisium karbid daha böyük bir bant boşluğu eninə malikdir, bu da daha yüksək elektron zolağı aralığını təmin edir, nəticədə daha yüksək elektron hərəkətliliyi və aşağı sızma cərəyanı ilə nəticələnir.Bundan əlavə, silisium karbid daha yüksək elektron doyma sürüşmə sürətinə və materialın özünün daha aşağı müqavimətinə malikdir və yüksək güc tətbiqləri üçün daha yaxşı performans təmin edir.
Silikon karbid vaflilərinin tətbiqi halları və perspektivləri
Enerji elektronikası tətbiqləri
Silikon karbid vafli güc elektronikası sahəsində geniş tətbiq perspektivinə malikdir.Yüksək elektron hərəkətliliyi və əla istilik keçiriciliyi sayəsində SIC vafliləri elektrik nəqliyyat vasitələri və günəş enerjisi çeviriciləri üçün enerji modulları kimi yüksək güclü sıxlıqlı keçid cihazlarının istehsalı üçün istifadə edilə bilər.Silikon karbid vaflilərin yüksək temperaturda dayanıqlığı bu cihazların yüksək temperaturlu mühitlərdə işləməsinə imkan verir, daha çox səmərəlilik və etibarlılıq təmin edir.
Optoelektron tətbiqlər
Optoelektronik cihazlar sahəsində silisium karbid vafliləri öz unikal üstünlüklərini göstərir.Silikon karbid materialı geniş zolaq boşluğu xüsusiyyətlərinə malikdir və bu, optoelektronik cihazlarda yüksək fotonon enerjisi və aşağı işıq itkisi əldə etməyə imkan verir.Silikon karbid vafliləri yüksək sürətli rabitə cihazlarını, fotodetektorları və lazerləri hazırlamaq üçün istifadə edilə bilər.Onun əla istilik keçiriciliyi və aşağı kristal qüsur sıxlığı onu yüksək keyfiyyətli optoelektronik cihazların hazırlanması üçün ideal edir.
Outlook
Yüksək performanslı elektron cihazlara artan tələbatla, silisium karbid vafliləri əla xüsusiyyətlərə və geniş tətbiq potensialına malik bir material kimi perspektivli gələcəyə malikdir.Hazırlıq texnologiyasının davamlı təkmilləşdirilməsi və maya dəyərinin azaldılması ilə silisium karbid vaflilərinin kommersiya tətbiqi təşviq ediləcək.Növbəti bir neçə ildə silikon karbid vaflilərinin tədricən bazara girəcəyi və yüksək güc, yüksək tezlik və yüksək temperatur tətbiqləri üçün əsas seçim olacağı gözlənilir.
3---SiC vafli bazarının və texnologiya meyllərinin dərin təhlili
Silikon karbid (SiC) vafli bazar sürücülərinin dərin təhlili
Silikon karbid (SiC) vafli bazarının böyüməsinə bir neçə əsas amil təsir edir və bu amillərin bazara təsirinin dərin təhlili vacibdir.Budur bazarın əsas sürücülərindən bəziləri:
Enerjiyə qənaət və ətraf mühitin mühafizəsi: Silikon karbid materiallarının yüksək performansı və aşağı enerji istehlakı xüsusiyyətləri onu enerjiyə qənaət və ətraf mühitin mühafizəsi sahəsində məşhur edir.Elektrikli nəqliyyat vasitələrinə, günəş enerjisi çeviricilərinə və digər enerji çevirmə cihazlarına tələbat enerji tullantılarını azaltmağa kömək etdiyi üçün silikon karbid vafli bazarının böyüməsinə təkan verir.
Power Electronics proqramları: Silisium karbid güc elektronikası tətbiqlərində üstündür və yüksək təzyiq və yüksək temperatur mühitləri altında elektrik elektronikasında istifadə edilə bilər.Bərpa olunan enerjinin populyarlaşması və elektrik enerjisinə keçidin təşviqi ilə enerji elektronikası bazarında silikon karbid vaflilərə tələbat artmaqda davam edir.
SiC vafli gələcək istehsal texnologiyasının inkişaf tendensiyası ətraflı təhlili
Kütləvi istehsal və xərclərin azaldılması: Gələcək SiC vafli istehsalı daha çox kütləvi istehsala və xərclərin azaldılmasına yönəldiləcəkdir.Buraya məhsuldarlığı artırmaq və istehsal xərclərini azaltmaq üçün kimyəvi buxar çökdürmə (CVD) və fiziki buxar çökdürmə (PVD) kimi təkmilləşdirilmiş böyümə üsulları daxildir.Bundan əlavə, intellektual və avtomatlaşdırılmış istehsal proseslərinin tətbiqinin səmərəliliyi daha da artıracağı gözlənilir.
Yeni vafli ölçüsü və strukturu: SiC vaflilərinin ölçüsü və strukturu gələcəkdə müxtəlif tətbiqlərin ehtiyaclarını ödəmək üçün dəyişə bilər.Buraya daha çox dizayn çevikliyi və performans seçimlərini təmin etmək üçün daha böyük diametrli vaflilər, heterojen strukturlar və ya çox qatlı vaflilər daxil ola bilər.
Enerji Effektivliyi və Yaşıl İstehsal: Gələcəkdə SiC vaflilərinin istehsalı enerji səmərəliliyinə və yaşıl istehsala daha çox diqqət yetirəcək.Bərpa olunan enerji, yaşıl materiallar, tullantıların təkrar emalı və aşağı karbon istehsal prosesləri ilə işləyən fabriklər istehsalda tendensiyalara çevriləcək.
Göndərmə vaxtı: 19 yanvar 2024-cü il