Sic optik linza 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Xüsusi ölçü

1.Yüksək Sındırılma İndeksi və Geniş Ötürmə Pəncərəsi: SiC optik linzaları, işləmə spektri boyunca təxminən 2.6-2.7 qırılma indeksi ilə müstəsna optik performans nümayiş etdirir. Bu geniş ötürmə pəncərəsi (600-1850 nm) həm görünən, həm də yaxın infraqırmızı bölgələri əhatə edir və bu da onları çoxspektrli görüntüləmə sistemləri və genişzolaqlı optik tətbiqlər üçün xüsusilə dəyərli edir. Materialın bu diapazonlarda aşağı udma əmsalı, hətta yüksək güclü lazer tətbiqlərində belə, siqnalın minimal zəifləməsini təmin edir.

2. İstisna Qeyri-xətti Optik Xüsusiyyətlər: Silisium karbidin unikal kristal quruluşu ona diqqətəlayiq qeyri-xətti optik əmsallar (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2) bəxş edir və bu da səmərəli tezlik çevrilmə proseslərinə imkan verir. Bu xüsusiyyətlər optik parametrik osilatorlar, ultrasürətli lazer sistemləri və tam optik siqnal emalı cihazları kimi qabaqcıl tətbiqlərdə fəal şəkildə istifadə olunur. Materialın yüksək zərər həddi (>5 GW/sm2) onun yüksək intensivlikli tətbiqlər üçün uyğunluğunu daha da artırır.

3.Mexaniki və İstilik Sabitliyi: Elastik modulu 400 GPa-ya yaxınlaşdıqda və istilik keçiriciliyi 300 Vt/m·K-dən çox olduqda, SiC optik komponentləri mexaniki gərginlik və istilik dövrü altında müstəsna sabitliyi qoruyur. İstilik genişlənməsinin ultra aşağı əmsalı (4.0 × 10-6/K) temperatur dəyişiklikləri ilə minimal fokus sürüşməsini təmin edir ki, bu da kosmik tətbiqlər və ya sənaye lazer emalı avadanlığı kimi dəyişkən istilik mühitlərində işləyən dəqiq optik sistemlər üçün vacib üstünlükdür.

4. Kvant Xüsusiyyətləri: 4H-SiC və 6H-SiC politiplərindəki silikon vakansiyası (VSi) və ayrılma (VSiVC) rəng mərkəzləri otaq temperaturunda uzun koherentlik müddətləri ilə optik olaraq ünvanlana bilən spin vəziyyətləri nümayiş etdirir. Bu kvant emitterləri miqyaslana bilən kvant şəbəkələrinə inteqrasiya olunur və xüsusilə fotonik kvant hesablama arxitekturalarında otaq temperaturu kvant sensorları və kvant yaddaş cihazlarının inkişafı üçün perspektivlidir.

5. CMOS Uyğunluğu: SiC-nin standart yarımkeçirici istehsal prosesləri ilə uyğunluğu silikon fotonika platformaları ilə birbaşa monolit inteqrasiyaya imkan verir. Bu, SiC-nin optik üstünlüklərini silikonun elektron funksionallığı ilə birləşdirən hibrid fotonik-elektron sistemlərin yaradılmasına imkan verir və optik hesablama və sensor tətbiqlərində çip üzərində sistem dizaynları üçün yeni imkanlar açır.