SiC silisium karbid vafli SiC vafli 4H-N 6H-N HPSI(Yüksək təmizlikli Yarıizolyasiyalı) 4H/6H-P 3C -n tip 2 3 4 6 8 düym mövcuddur
Xüsusiyyətlər
4H-N və 6H-N (N tipli SiC vafliləri)
Ərizə:Əsasən güc elektronikası, optoelektronika və yüksək temperatur tətbiqlərində istifadə olunur.
Diametr diapazonu:50,8 mm-dən 200 mm-ə qədər.
Qalınlıq:350 μm ± 25 μm, isteğe bağlı qalınlıqlar 500 μm ± 25 μm.
Müqavimət:N-tipi 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·sm (Z-dərəcəsi), ≤ 0,3 Ω·sm (P-dərəcəsi); N-tipi 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·sm (Z-dərəcəsi), ≤ 1 mΩ·sm (P-dərəcəsi).
Kobudluq:Ra ≤ 0,2 nm (CMP və ya MP).
Mikroboru Sıxlığı (MPD):< 1 e/sm².
TTV: Bütün diametrlər üçün ≤ 10 μm.
Çarpma: ≤ 30 μm (8 düymlük vaflilər üçün ≤ 45 μm).
Kənar İstisna:vafli növündən asılı olaraq 3 mm-dən 6 mm-ə qədər.
Qablaşdırma:Çox vafli kaset və ya tək vafli qab.
Digər mövcud ölçülər 3 düym 4 düym 6 düym 8 düym
HPSI (Yüksək Saflıqda Yarı İzolyasiya edən SiC Vafli)
Ərizə:RF cihazları, fotonik proqramlar və sensorlar kimi yüksək müqavimət və sabit performans tələb edən cihazlar üçün istifadə olunur.
Diametr diapazonu:50,8 mm-dən 200 mm-ə qədər.
Qalınlıq:Standart qalınlığı 350 μm ± 25 μm, qalınlığı 500 μm-ə qədər olan vaflilər üçün seçimlər.
Kobudluq:Ra ≤ 0,2 nm.
Mikroboru Sıxlığı (MPD): ≤ 1 e/sm².
Müqavimət:Yüksək müqavimət, adətən yarı izolyasiya tətbiqlərində istifadə olunur.
Çarpma: ≤ 30 μm (kiçik ölçülər üçün), daha böyük diametrlər üçün ≤ 45 μm.
TTV: ≤ 10 μm.
Digər mövcud ölçülər 3 düym 4 düym 6 düym 8 düym
4H-P、6H-P&3C SiC vaflisi(P tipli SiC vafliləri)
Ərizə:Əsasən güc və yüksək tezlikli cihazlar üçün.
Diametr diapazonu:50,8 mm-dən 200 mm-ə qədər.
Qalınlıq:350 μm ± 25 μm və ya fərdi seçimlər.
Müqavimət:P-tipi 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·sm (Z-dərəcəsi), ≤ 0.3 Ω·sm (P-dərəcəsi).
Kobudluq:Ra ≤ 0,2 nm (CMP və ya MP).
Mikroboru Sıxlığı (MPD):< 1 e/sm².
TTV: ≤ 10 μm.
Kənar İstisna:3 mm-dən 6 mm-ə qədər.
Çarpma: Kiçik ölçülər üçün ≤ 30 μm, daha böyük ölçülər üçün ≤ 45 μm.
Digər mövcud ölçü 3 düym 4 düym 6 düym5×5 10×10
Qismən Məlumat Parametrləri Cədvəli
Əmlak | 2 düym | 3 düym | 4 düym | 6 düym | 8 düym | |||
Növ | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI/4H-SEMI | |||
Diametri | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2±0,3 mm | 100±0,3 mm | 150±0,3 mm | 200 ± 0,3 mm | |||
Qalınlıq | 330 ± 25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | |||
350±25um; | 500±25um | 500±25um | 500±25um | 500±25um | ||||
və ya uyğunlaşdırılmışdır | və ya uyğunlaşdırılmışdır | və ya uyğunlaşdırılmışdır | və ya uyğunlaşdırılmışdır | və ya uyğunlaşdırılmışdır | ||||
Kobudluq | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | |||
Çarpma | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤45um | |||
TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | |||
Scratch/Qaz | CMP/MP | |||||||
MPD | <1ea/sm-2 | <1ea/sm-2 | <1ea/sm-2 | <1ea/sm-2 | <1ea/sm-2 | |||
Forma | Dəyirmi, Düz 16mm;Uzunluğu 22mm; Uzunluğu 30/32,5 mm; Uzunluğu 47,5 mm; NOTCH; NOTCH; | |||||||
Eğim | 45°, SEMI Spec; C Forması | |||||||
Dərəcə | MOS&SBD üçün istehsal dərəcəsi; Tədqiqat dərəcəsi; Dummy grade, Toxum gofret Dərəcəsi | |||||||
Qeydlər | Diametr, Qalınlıq, Orientasiya, yuxarıdakı spesifikasiyalar sizin istəyinizə uyğun olaraq düzəldilə bilər |
Tətbiqlər
·Güc elektronikası
N tipli SiC vafliləri yüksək gərginlik və yüksək cərəyanı idarə etmək qabiliyyətinə görə güc elektron cihazlarında çox vacibdir. Onlar ümumiyyətlə bərpa olunan enerji, elektrik nəqliyyat vasitələri və sənaye avtomatlaşdırılması kimi sənayelər üçün güc çeviricilərində, çeviricilərdə və motor sürücülərində istifadə olunur.
· Optoelektronika
N tipli SiC materialları, xüsusilə optoelektronik tətbiqlər üçün, işıq yayan diodlar (LED) və lazer diodları kimi cihazlarda istifadə olunur. Onların yüksək istilik keçiriciliyi və geniş diapazonu onları yüksək performanslı optoelektronik cihazlar üçün ideal edir.
·Yüksək Temperatur Tətbiqləri
4H-N 6H-N SiC vafliləri aerokosmik, avtomobil və sənaye tətbiqlərində istifadə olunan sensorlar və güc qurğuları kimi yüksək temperaturlu mühitlər üçün yaxşı uyğun gəlir.
·RF Cihazları
4H-N 6H-N SiC vafliləri yüksək tezlik diapazonlarında işləyən radiotezlik (RF) cihazlarında istifadə olunur. Onlar yüksək enerji səmərəliliyi və performans tələb olunan rabitə sistemlərində, radar texnologiyasında və peyk rabitəsində tətbiq edilir.
·Fotonik Tətbiqlər
Fotonikdə SiC vafliləri fotodetektorlar və modulyatorlar kimi cihazlar üçün istifadə olunur. Materialın unikal xassələri onun optik rabitə sistemlərində və görüntüləmə cihazlarında işığın yaranması, modulyasiyası və aşkarlanmasında effektiv olmasına imkan verir.
·Sensorlar
SiC vafliləri müxtəlif sensor tətbiqlərində, xüsusən də digər materialların uğursuz ola biləcəyi sərt mühitlərdə istifadə olunur. Bunlara avtomobil, neft və qaz və ətraf mühitin monitorinqi kimi sahələrdə vacib olan temperatur, təzyiq və kimyəvi sensorlar daxildir.
·Elektrikli Avtomobil Sürücü Sistemləri
SiC texnologiyası sürücülük sistemlərinin səmərəliliyini və performansını yaxşılaşdırmaqla elektrik avtomobillərində mühüm rol oynayır. SiC güc yarımkeçiriciləri ilə elektrik avtomobilləri daha yaxşı batareyanın ömrünü, daha sürətli doldurma müddətlərini və daha çox enerji səmərəliliyinə nail ola bilər.
·Təkmil sensorlar və fotonik çeviricilər
Qabaqcıl sensor texnologiyalarında SiC vafliləri robototexnika, tibbi cihazlar və ətraf mühitin monitorinqi sahələrində tətbiqlər üçün yüksək dəqiqlikli sensorlar yaratmaq üçün istifadə olunur. Fotonik çeviricilərdə SiC-nin xüsusiyyətləri telekommunikasiya və yüksək sürətli internet infrastrukturunda həyati əhəmiyyət kəsb edən elektrik enerjisinin optik siqnallara səmərəli çevrilməsini təmin etmək üçün istifadə olunur.
Q&A
Q:4H SiC-də 4H nədir?
A:4H SiC-də "4H" silisium karbidin kristal quruluşuna, xüsusilə dörd qatlı (H) altıbucaqlı formaya aiddir. "H" altıbucaqlı politipin növünü göstərir və onu 6H və ya 3C kimi digər SiC politiplərindən fərqləndirir.
Q:4H-SiC-nin istilik keçiriciliyi nədir?
A:4H-SiC-nin (Silikon Karbid) istilik keçiriciliyi otaq temperaturunda təxminən 490-500 W/m·K təşkil edir. Bu yüksək istilik keçiriciliyi onu enerji elektronikası və yüksək temperatur mühitlərində tətbiqlər üçün ideal hala gətirir, burada səmərəli istilik yayılması çox vacibdir.