Silikon dioksid vafli SiO2 qalın cilalanmış, əsas və sınaq dərəcəsi

Silikon Dioksid vafli SiO2 qalın vafli, Cilalanmış, Baş və Test Dərəcəsi Xüsusi Şəkil

Qısa Təsvir:

Termal oksidləşmə silisium dioksid (SiO2) təbəqəsi etmək üçün oksidləşdirici maddələrin və istilik birləşməsinin bir silikon vaflisinə məruz qalmasının nəticəsidir. Şirkətimiz müştərilər üçün müxtəlif parametrlərə malik silikon dioksid oksid lopalarını əla keyfiyyətlə fərdiləşdirə bilər;oksid təbəqəsinin qalınlığı, yığcamlığı, vahidliyi və müqavimətinin kristal oriyentasiyası milli standartlara uyğun olaraq həyata keçirilir.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Gofret qutusunun təqdimatı

Məhsul	Termal oksid (Si+SiO2) vafliləri
İstehsal üsulu	LPCVD
Səthi cilalama	SSP/DSP
Diametr	2 düym / 3 düym / 4 düym / 5 düym / 6 düym
Növ	P növü / N növü
Oksidləşmə qatının qalınlığı	100nm ~ 1000nm
Orientasiya	<100> <111>
Elektrik müqaviməti	0,001-25000(Ω•sm)
Ərizə	Sinxrotron şüalanma nümunəsi daşıyıcısı, substrat kimi PVD/CVD örtüyü, maqnetron püskürən böyümə nümunəsi, XRD, SEM,Atom qüvvəsi, infraqırmızı spektroskopiya, flüoresan spektroskopiya və digər analiz test substratları, molekulyar şüa epitaksial böyümə substratları, kristal yarımkeçiricilərin rentgen analizi

Silikon oksid vafliləri, atmosfer təzyiqli soba borusu avadanlığı ilə termal oksidləşmə prosesindən istifadə edərək yüksək temperaturda (800°C~1150°C) oksigen və ya su buxarı vasitəsilə silikon vaflilərin səthində yetişdirilən silikon dioksid filmləridir.Prosesin qalınlığı 50 nanometrdən 2 mikrona qədər, proses temperaturu 1100 dərəcə Selsiyə qədərdir, böyümə üsulu "yaş oksigen" və "quru oksigen" iki növə bölünür.Termal oksid "yetişmiş" oksid təbəqəsidir, daha yüksək vahidliyə, daha yaxşı sıxlığa və CVD-nin çökdürülmüş oksid təbəqələrinə nisbətən daha yüksək dielektrik gücünə malikdir və nəticədə üstün keyfiyyətdir.

Quru oksigen oksidləşməsi

Silikon oksigenlə reaksiya verir və oksid təbəqəsi daim substrat təbəqəsinə doğru hərəkət edir.Quru oksidləşmə 850-dən 1200 ° C-ə qədər olan temperaturda, daha aşağı böyümə sürəti ilə həyata keçirilməlidir və MOS izolyasiyalı qapının böyüməsi üçün istifadə edilə bilər.Yüksək keyfiyyətli, ultra nazik silikon oksid təbəqəsi tələb olunduqda, yaş oksidləşmədən quru oksidləşməyə üstünlük verilir.Quru oksidləşmə qabiliyyəti: 15nm ~ 300nm.

2. Yaş oksidləşmə

Bu üsul yüksək temperatur şəraitində soba borusuna daxil olaraq oksid təbəqəsi yaratmaq üçün su buxarından istifadə edir.Yaş oksigen oksidləşməsinin sıxlaşması quru oksigen oksidləşməsindən bir qədər pisdir, lakin quru oksigen oksidləşməsi ilə müqayisədə onun üstünlüyü 500nm-dən çox film böyüməsi üçün uyğun olan daha yüksək böyümə sürətinə malik olmasıdır.Yaş oksidləşmə qabiliyyəti: 500nm~2µm.

AEMD-nin atmosfer təzyiqi oksidləşdirici soba borusu yüksək proses dayanıqlığı, yaxşı film vahidliyi və üstün hissəcik nəzarəti ilə xarakterizə olunan Çex üfüqi soba borudur.Silikon oksid soba borusu hər bir boru üçün 50 vafli emal edə bilər, mükəmməl intra- və inter-wafers vahidliyi ilə.